1. 建模任务 UsT+o 1.1
模拟条件
5p9zl=mT 模拟区域:0~10
%onUCN<O` 边界条件:Periodic
V*an0@ 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
?Bg<74 单位长度:0.5
gQ]WNJ~>
hAHZN^x& t\[aU\4-7 1.2堆栈
结构 j8lWra\y ,,*i!%Adw 2. 建模过程 5k&tRg 2.1设置模拟条件
lWYZAF>?Ym
gQpF(P mDn*v(
f 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 Vq7L:,N9 Q~/TqG
U $s]c'D) 2.3创建掩膜并生成多畴结构
Qg
dHIMY l=jfgsjc 3. 结果分析 %m\dNUz4g 3.1 指向矢分布和透过率
\Qp #utC0s JN5<=x5r yn;h.m [): 3.2所有畴的V-T曲线
g.CUo:c .(!> *ka| =F>@z4[P- 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
.gPE Qc+D