1. 建模任务 s@
m
A\ 1.1
模拟条件
ymXR#E 模拟区域:0~10
s0v?*GRX 边界条件:Periodic
+SkD/"5ng 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
Sj(uc# 单位长度:0.5
)ruC_)
qrO]t\ c3&F\3 1.2堆栈
结构 VkhZt7]K}B 0}hN/2}& 2. 建模过程 J]nb;4w 2.1设置模拟条件
-\\}K\*MJ
v>.nL(VLjP fG;)wQJ 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 d
/&aC#'B JT&CJ&#[h :2Qm*Y&_$V 2.3创建掩膜并生成多畴结构
-% PUY( C9x'yBDv 3. 结果分析 b|n%l5
1 3.1 指向矢分布和透过率
-w=rNlj Pk[f_%0 j{>E.F2. 3.2所有畴的V-T曲线
g$kK)z Mkko1T=6 inZMq(_@$ 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
F}<&@ 7kF