*w@1@6?j 1. 建模任务 gV.? Myy 1.1
模拟条件
n{TWdC 模拟区域:0~10
:L@;.s 边界条件:Periodic
KR$Fd 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
g PCf+>X{ 单位长度:0.5
x,mt}>
iz-z?)% d?X,od6 1.2堆栈
结构 <?B3^z$ l[i4\ CT 2. 建模过程 0~U%csPHt 2.1设置模拟条件
W2X`%Tx0
H14Q-2U1xa $3"hOEN@5` 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 \Vx^u}3O s\ C ,5 /o4e
n 2.3创建掩膜并生成多畴结构
eXKEx4rU
]+Whv%M 3. 结果分析 ~NIhS! 3.1 指向矢分布和透过率
!+3&%vQ) EmT_T3v K/*R}X 3.2所有畴的V-T曲线
z"mVE T %/I:r7UR{ EY"of[p 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
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