~j",ePl 1. 建模任务 Lm"a3Nb 1.1
模拟条件
2J9_(w
模拟区域:0~10
X'e@(I!0 边界条件:Periodic
>f4H<V- 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
+mE y7qM 单位长度:0.5
Rer\='
%7pT\8E5 4&~1|B{Z 1.2堆栈
结构 zS 18Kl bTE%p0 2. 建模过程 cD
Z]r@AQ 2.1设置模拟条件
&(-+?*A`E
GUE3| G%-[vk#] 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 qYZX,
x <i`Ipj v/\l 2.3创建掩膜并生成多畴结构
i,M<}e1 i[H`u,%+( 3. 结果分析 |Spy |,/ 3.1 指向矢分布和透过率
=K~<& l8 8-UlbO6 _a"5[sG 3.2所有畴的V-T曲线
w0x,~ E(*RtOC<W QNJ )HNLp 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
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