4?`7XJ0a 1. 建模任务 [LE_lATjU 1.1
模拟条件
kN)P-![ 模拟区域:0~10
:v#3;('7 边界条件:Periodic
-4.+&' 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
+m_quQ/ys 单位长度:0.5
t5S S]
~O!v?2it8q *5^h>Vk/ 1.2堆栈
结构 tG'c79D\ 2]|+.9B 2. 建模过程 &0'BCT 2.1设置模拟条件
GKX#-zsh79
$4m{g"xL #-{4F?DA]y 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 o4xZaF4+ ;tO (,^ j:g/[_0s 2.3创建掩膜并生成多畴结构
r>Vgo):s uTQ/_$
3. 结果分析 2!A/]:[F 3.1 指向矢分布和透过率
SKGYmleR {B34^H: =4G9ev
4 3.2所有畴的V-T曲线
\%UA6uj 9i n& \ N
G4wtDa 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
*x$\5;A