&zR}jD> 1. 建模任务
1Sy#* 1.1
模拟条件
(bw;zNW 模拟区域:0~10
;"3Mm$ 边界条件:Periodic
DEBgb 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
d dPJx< 单位长度:0.5
SCo9[EJ
[qz6_WOo ;u%h wlo 1.2堆栈
结构 ;WhB2/5v ?OSd8E+itM 2. 建模过程 \yqiv"' 2.1设置模拟条件
-}(W=r\
IO+z:D{ E*%{Nn 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 5FMKJ7sC9 PQK_*hJG" ;KhYh S(q 2.3创建掩膜并生成多畴结构
(#:Si~3 +0OQ"2^& 3. 结果分析 xU&rUk/L 3.1 指向矢分布和透过率
e#seqx 5*CwQJC< 1Nz\3]- 3.2所有畴的V-T曲线
G`n-WP X:Zqgf %tMfOW 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
[Yv5Sw