0<\|D^m=&h 1. 建模任务 rV%T+!n%c 1.1
模拟条件
5N|LT8P}Z 模拟区域:0~10
MIIl+ 边界条件:Periodic
C(G.yd 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
vw2E$ya 单位长度:0.5
3tTOs
SKH}!Id}n `-pwP 1.2堆栈
结构 S"h;u=5it 80@\e 2. 建模过程 w g?}c ;
2.1设置模拟条件
V'XEz;Ze
QLO;D)fC R<&Euph 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 ?`U_|Yo R|\eBnfI "i;.> 2.3创建掩膜并生成多畴结构
bN.
G%1 ^~[7])}g6 3. 结果分析 7<^+)DsS? 3.1 指向矢分布和透过率
8{G!OBxc\. Qt+D ,X )sm9%|.& 3.2所有畴的V-T曲线
_Rii19k LBy`N_@ Zt3sU_ 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
M#'7hm6