edN8-P( 1. 建模任务 y_%&]/% 1.1
模拟条件
)+GX<2_ 模拟区域:0~10
2ij/N%l 边界条件:Periodic
9eSRCLhgD 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
kkfCAM 单位长度:0.5
Fzs>J&sY&
5ZsDgOeY 22bT3 1.2堆栈
结构 GVp /#\?1)jCK 2. 建模过程 7+8bL{ 2.1设置模拟条件
j;0ih_Z@4W
GMb!Q0I8 # ITLz!gE 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 24|<<Xn ![Hhxu "gg(tp45 2.3创建掩膜并生成多畴结构
BD4"pcr onh?/3l 3. 结果分析 -d_ 7*>m$ 3.1 指向矢分布和透过率
,lP7 ri @ V5S4E yA0Y
14\* 3.2所有畴的V-T曲线
W:>J864! `vH&K{ 'Z$jBL 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
EFNdiv$wF