ZN1p>+oY! 1. 建模任务 eyG.XAP 1.1
模拟条件
0jS/U|0 模拟区域:0~10
lt]U?VZ 边界条件:Periodic
!6%mt} h 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
OH(+]%B78 单位长度:0.5
\r2qH0B
.edZKmC6 )
jvkwC 1.2堆栈
结构 aD^MoB3
Qi}LV"&L 2. 建模过程 _aGdC8%[ 2.1设置模拟条件
O^:h _L
}:irjeI, r]S9z 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 IY:O? M -$q/7,os uj@<_|7 2.3创建掩膜并生成多畴结构
h.^DRR^S WWLVy( 3. 结果分析 4tU~ ^z 3.1 指向矢分布和透过率
[ bW=>M vB{b/xmah aFym&n\ 3.2所有畴的V-T曲线
N'1~ wxd @rMW_7[y C"{on% 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
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