!bD@aVf?5 1. 建模任务 [F*4EGB 1.1
模拟条件
&tZG
@ 模拟区域:0~10
NziZTU} 边界条件:Periodic
{w8 NN-n 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
R'dSbn 单位长度:0.5
%',F
R.s^o]vT b:(- 1.2堆栈
结构 p)=~% 7DV 0}:2Q# 2. 建模过程 { K_kPgKS 2.1设置模拟条件
Cv*x2KF
G
a2f^x@0k Lqp8yVO 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 4_D@ST% `s]4AKBO \NGC$p n 2.3创建掩膜并生成多畴结构
?|1Mv1C? ;ml
3 3. 结果分析 CAU0)=M 3.1 指向矢分布和透过率
`' 153M] W{5:'9, bpkwn<7- 3.2所有畴的V-T曲线
yfDAk46->6 ycJg%]F*5 ai'4_ 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
~aXqU#8