[3sZ=)G 1. 建模任务 WO{7/h</ 1.1
模拟条件
`k*;%}X\ 模拟区域:0~10
4!OGNr$V@ 边界条件:Periodic
'<vb_8.
偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
tBfmjxv 单位长度:0.5
FfxD=\
rW|%eT*/'A ,;5%&T 1.2堆栈
结构 PH&Qw2(Sx 2z"<m2a 2. 建模过程 O9- `e 2.1设置模拟条件
5073Q~
[3qH?2& 0:n"A,-p 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 jjQDw=6 wsQ],ZE 5M~+F"Hl 2.3创建掩膜并生成多畴结构
u{va2n/ d(XOZF 3. 结果分析 l`l6Y>c*] 3.1 指向矢分布和透过率
[&4+
<Nl' [0105l5 i].E1},% 3.2所有畴的V-T曲线
V_, `?>O t2vm&jk 2}XRqa.| 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
3uxf n=E