KOqp@K$ 1. 建模任务 NrTK+6 z 1.1
模拟条件
`~ , 模拟区域:0~10
^P|
K2at 边界条件:Periodic
%n7mN]) 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
%%-hax.x0X 单位长度:0.5
Q;EQ8pL?"
ImnN&[Cu ;WG6|QgV?- 1.2堆栈
结构 Ivdg1X s2'] "wM 2. 建模过程 h_{//W[ 2.1设置模拟条件
T+9#&
.&Rj2d &N^^[
uG 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 _h7qS !~Am1\02 2S`D7R#6s 2.3创建掩膜并生成多畴结构
0
jszZ_ `VB]4i}u 3. 结果分析 K$K6,54y 3.1 指向矢分布和透过率
| D?lF iCK p"(kf GNIZHyT(O 3.2所有畴的V-T曲线
TGe)%jZ e,0y+~
equTKM 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
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