8o!^ZOmU< 1. 建模任务 B_G7F[/K 1.1
模拟条件
X-WvKH(=w 模拟区域:0~10
<%5uzlp 边界条件:Periodic
DcM+K@1E4^ 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
9Qd'=JQl 单位长度:0.5
+0042Yi
@WE$%dr YLd%"H $n 1.2堆栈
结构 WkmS
nUu|}11 ( 2. 建模过程 ^^(ZK 6 d 2.1设置模拟条件
t`D@bzLC%
Bd[}A9O[ 4vJIO{m 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 c8W=Is` |n%N'-el d'J?QH!N0 2.3创建掩膜并生成多畴结构
_!vbX
mb 4s2ex{$+MA 3. 结果分析 P Qay
sdb 3.1 指向矢分布和透过率
1Tkdr2 ps
J 1J T}On:*& 3.2所有畴的V-T曲线
M57(,#g $dUN+9 t:n|0G( 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
MM7gMAA.mz