$;%k:&\f 1. 建模任务 ?,0 a#lG 1.1
模拟条件
\olYv!f 模拟区域:0~10
%{HeXe 边界条件:Periodic
YecV+K'p: 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
A{Dy3tm= 单位长度:0.5
Js}1_K
@m+2e C77 @[. 0, 1.2堆栈
结构 YwnYTt @\s*f7 2. 建模过程 ~duF2m 72 2.1设置模拟条件
vkE a[7
5Sv;a(} zqt{oN_ 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 Q.Xs%{B j9^V)\6) iininITOS{ 2.3创建掩膜并生成多畴结构
^9fY%98 !
n13B 3. 结果分析 f1,VbuS9I 3.1 指向矢分布和透过率
U~1)a(Yu; >&%#`PKT &UfP8GE9 3.2所有畴的V-T曲线
IB\O[R$x wlsq[xP ,y}@I" 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
5/YGu=,