CQ4MQ<BJ. 1. 建模任务 ut<0- 1.1
模拟条件
lj U|9|v 模拟区域:0~10
/M0A9ZT[ 边界条件:Periodic
k\ 2.\Lwb 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
p4Wy2.&Q 单位长度:0.5
z'W8t|m}Pb
l/wdu( ?!uj8&yyf 1.2堆栈
结构 kF1Tg KSd }o'WR'LX 2. 建模过程 o'Uaz*-po 2.1设置模拟条件
>Q`\|m}x)Q
{\SJr: ^57G]$Q 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 >dr34=( \8KAK3i' l{2Y[&% 2.3创建掩膜并生成多畴结构
hxXl0egI 2b[R^O} 3. 结果分析 Wubvvm8U 3.1 指向矢分布和透过率
}.L\O]~{ %u)niY-g ; qQ* p 3.2所有畴的V-T曲线
FC+}gJ(q "B$r{ vG 8iB}gHe9 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
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