GZ5 DI+3 1. 建模任务 f[NxqNn 1.1
模拟条件
$bpu 模拟区域:0~10
rUV'DC?eE 边界条件:Periodic
I^LU*A= 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
k=d_{2 ~ 单位长度:0.5
fZap\
:Id8N~g <aFB&Fm 1.2堆栈
结构 9;*B*S~znW TRgj`FG 2. 建模过程 _W Hi<,- 2.1设置模拟条件
sjLm-pn3
qOD^P Mf5*Wjz.Mc 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 (G{:O RK&RMN8@ l9%ckC*q 2.3创建掩膜并生成多畴结构
asvM/ 9 R-iWbLD 3. 结果分析 4%yeEc;z 3.1 指向矢分布和透过率
{ O=_c|u{N 66WJ=?JV |P9Mhf N 3.2所有畴的V-T曲线
tG"EbWi b,ZBol|X 6~!7?FK 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
R4[|f0l}s