HM0&% 1. 建模任务 HQ9tvSc 1.1
模拟条件
`<d.I%} 模拟区域:0~10
Z;a)P.l.> 边界条件:Periodic
EC8Z. Uu 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
-O?HfQ 单位长度:0.5
Qx,#Hj
b<4nljbx 5o 5DG 1.2堆栈
结构 aWJ
BYw6{L NYP3u_
QX 2. 建模过程 h M7 SGEV 2.1设置模拟条件
KCbJ^Rln
BWxJ1ENM
![ce } 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 _[z)%`kay WHBGhU C=r`\W 2.3创建掩膜并生成多畴结构
N[3Y~HX!q (_ :82@c 3. 结果分析 |wv+g0]Pg^ 3.1 指向矢分布和透过率
x3FB`3y~s #z&R9$ ~<<32t'S: 3.2所有畴的V-T曲线
?+7~E8 v5\ALWy+p eL"'-d+] 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
CSoVB[vS