M$iDaEu- 1. 建模任务 : .Y 1.1
模拟条件
vkUXMMuf+e 模拟区域:0~10
HtY0=r 边界条件:Periodic
bS7rG$n [ 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
E0?R,+>&4 单位长度:0.5
qRi;[`
e1ts/@V _sLSl;/t 1.2堆栈
结构 Z1Y/2MVSb 4
JC*c 2. 建模过程 7m='-_w)?w 2.1设置模拟条件
"u^%~ 2
nwSujD KT'Ebb] 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 i;Y3pF0%P {P/ sxh:e IDCuS 2.3创建掩膜并生成多畴结构
!A_<(M< k_d) 3. 结果分析 1V?)T 3.1 指向矢分布和透过率
^hL?.xj =T7lv%u vl}fC@%WRI 3.2所有畴的V-T曲线
*S _[8L" q-?
k=RX` TgC8EcLr 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
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