0R`>F"> 1. 建模任务 e{Vn{.i,5 1.1
模拟条件
I>vU;xV\m 模拟区域:0~10
>.9V`m| 边界条件:Periodic
R^sgafGl= 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
9) $[W 单位长度:0.5
92.Rjz;=9?
v@8SMOe% -MsL>F.] 1.2堆栈
结构 %6^nb'l'C lcy+2)+ 2. 建模过程 #f_'&m 2.1设置模拟条件
"oFi+']*
s|c}9/Xe) =2DK?]K; 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 c93 Ok | ?OoI63& V>Xg\9B_ 2.3创建掩膜并生成多畴结构
_s5FYb# a.JjbFL 3. 结果分析 7r)]9_[( 3.1 指向矢分布和透过率
p1i}fGS 3XQe? 2:< -e_TJA 3.2所有畴的V-T曲线
fkX86 0kls/^ 0, (JnEso-V 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
}Y!s:w#