C/kf?:j 1. 建模任务 O)'CU1vMb 1.1
模拟条件
"#Rh\DQ 模拟区域:0~10
'p@f5[t 边界条件:Periodic
.wfydu)3 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
$J[( 3 单位长度:0.5
VY?9|};f
u47<J?!Q &> sbsx\y 1.2堆栈
结构 -+R,="nRQ BoD{fg 2. 建模过程 jK|n^5\ 2.1设置模拟条件
LEb$Fd
!~ox;I}S bi<<z-q`wJ 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 ;Qi:j^+P) {}O~tf_ C:QB=?%; 2.3创建掩膜并生成多畴结构
'VDWJTia ?CpVA 3. 结果分析 Aoe\\'O|V 3.1 指向矢分布和透过率
kDmm 6= iHw24 +
G@N 3.2所有畴的V-T曲线
^Q/*on;A,/ }EK{UM9y c%H' jB[ 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
,AP&N'