gK/mm\K@ 1. 建模任务 t>|Y-i3cb 1.1
模拟条件
x[7jm"Pz 模拟区域:0~10
0!F"s>(H 边界条件:Periodic
|ofegO}W7 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
+MPM^ m 单位长度:0.5
{]plT~{e
D.o|pTZ 6>v`6 1.2堆栈
结构 3DnlXH(h1 \B"5 Kp< 2. 建模过程 1g6AzUXg 2.1设置模拟条件
Z^,C><Yt
2bxkZS] U>6MT@\ 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 egboLqn Z8nj9X$ 2<wuzP| 2.3创建掩膜并生成多畴结构
\|nF55W [ f>ohu^bd 3. 结果分析 mh]'/C_*<w 3.1 指向矢分布和透过率
Rkm1fYf V0 x[sEW }$3eRu + 3.2所有畴的V-T曲线
x/Se
/C L<!}!v5ja ~n%~ Z|mMF 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
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