b+J|yM<` 1. 建模任务 O TlqJ 1.1
模拟条件
@<pd@Mpf] 模拟区域:0~10
7 =}tJ 边界条件:Periodic
]?D$n 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
JQ0Z%;" 单位长度:0.5
Y<VX.S2kf
jy5[K. m?B=?;B9# 1.2堆栈
结构 Kb<c||2Nh5 h'=)dFw7 2. 建模过程 o4EY2 2.1设置模拟条件
d$bO.t5CLh
mhhc}dS(H -bOtF% 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 V61oK ;7?oJH; Is3Y>oX 2.3创建掩膜并生成多畴结构
XIbxi \EoE/2"< 3. 结果分析 \:1$E[3v 3.1 指向矢分布和透过率
bF_0',W "i/GzD7 `n z8}QXXa 3.2所有畴的V-T曲线
}(Fmr7%m ?;`GCE >W-xDzJry 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
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