1. 建模任务
IEfzu L<v 1.1
模拟条件
o]t6u .L 模拟区域:0~10
w},' 1 边界条件:Periodic
ig4wwd@| 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
e6z;;C@'G 单位长度:0.5
ZR.1SA0x?O Sf);j0G,D jL(=<R(~y
1.2堆栈
结构 |NJe4lw+? p(QB 5at 2. 建模过程
orVsMT[A 2.1设置模拟条件
*Z>Yv37P ]( V+ qj #+N\u*-S
2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 'YIFHn$! +0rMv zpV@{%VSj 2.3创建掩膜并生成多畴结构
Fq!12/Nn ]W7(}~m 3. 结果分析
o,[~7N 3.1 指向矢分布和透过率
sOg@9-_Uh R $HIJM )8kcOBG^L 3.2所有畴的V-T曲线
bN$`&fC0 Rp4EB:* A ${b] 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
>^LVj[.1 u*B.<GmN