1. 建模任务
+0)5H>h 1.1
模拟条件
^&e;8d|f{ 模拟区域:0~10
<C2c"=b 边界条件:Periodic
T&e%/ 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
i@%L_[MtA 单位长度:0.5
(jt*u (C&Y %0go%_
E ,Dlaq 1.2堆栈
结构 I[vME" ;2 \<M6 2. 建模过程
a:wJ/ p 2.1设置模拟条件
I\)N\move 9 ?[4i'
i$2MjFC- 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 X@G[=Rs 0!)U *+j, UeC 81*XZ 2.3创建掩膜并生成多畴结构
6YB-}>? 6NP`P j R 3. 结果分析
Cf.WO %?P 3.1 指向矢分布和透过率
XP3QBq ei(|5h iOE9FW|e 3.2所有畴的V-T曲线
B&to&|jf 4ZSfz#<[z #zh6=.,7 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
*
N2#{eF&] HE4`9$kVLr