1. 建模任务
{KL<Hx2M 1.1
模拟条件
qy@gW@IU 模拟区域:0~10
a#1LGH7E8 边界条件:Periodic
=&,zWNz) 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
@2
dp5 单位长度:0.5
pFSVSSQRV| nJ4h9`[>V
UD*#!H 1.2堆栈
结构 lN+NhPF ^ h^2='p 2. 建模过程
ew4IAF 2.1设置模拟条件
_]tR1T5e ,ewg3mYHC&
%_1~z[Dv 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 Wuosr3P 6mEW*qp2F 1X2oz 2.3创建掩膜并生成多畴结构
|Xd[%W) 8N6a= [fv< 3. 结果分析
)?pin|_x 3.1 指向矢分布和透过率
(k
M\R| nl5K1!1 hC]c
=$=7 3.2所有畴的V-T曲线
_dsd{& ~>D;2 S(a Sct-,K%i 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
_89
_*t( ]Vl5v5_