1. 建模任务
u: 1.1
模拟条件
1Ai^cf:S 模拟区域:0~10
>y+B 边界条件:Periodic
X2"/%!65{ 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
dlnX_+((KC 单位长度:0.5
b|(:[nB 8H`[*|{' llDkJ)\
1.2堆栈
结构 `XDl_E+>l uhq8 2. 建模过程
w&.aQGR# 2.1设置模拟条件
7a}k F((4U"
x.4m|f0;
2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 y8xE
6i tpx2IE \z ) %$#I 2.3创建掩膜并生成多畴结构
K:WDl;8(d sa8Vvzvo. 3. 结果分析
ue>D7\8 3.1 指向矢分布和透过率
:rP=t , \GU<43J2uo UC$ppTCc? 3.2所有畴的V-T曲线
$<OD31T bW:!5"_{H 1xx}~|F?| 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
5~S5F3 u$`a7Lp,n