1. 建模任务
5B8V$ X 1.1
模拟条件
Q:'qw#P/C 模拟区域:0~10
pE$|2v 边界条件:Periodic
VyB\]EBu 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
GMVC&^ 单位长度:0.5
ey'pm\Z tn(?nQN3 Tb5$
1.2堆栈
结构 8<E!rn- -lJx%9> 2. 建模过程
rTWh(8T 2.1设置模拟条件
@&!=m]D* 5bu[}mJ i*mZi4URN
2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 9~LpO>- )nf=eU4| (= S"Kvb~# 2.3创建掩膜并生成多畴结构
e;&{50VY Jdk3)
\ 3. 结果分析
Bt|9%o06l 3.1 指向矢分布和透过率
s9ju/+fv Fi,e}j=2f }1X11+/W 3.2所有畴的V-T曲线
2)HxW}o &KOG[tv %J/fg<W1 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
N'lGA;}i INN/VDsJ