1. 建模任务
Jrg2/ee,* 1.1
模拟条件
_<a7CCg 模拟区域:0~10
ms!r ef4`+ 边界条件:Periodic
d+X}cq= 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
z;A>9vQ_J 单位长度:0.5
\e!vj.PU z "+Mrew
6U[4%( 1.2堆栈
结构 ]%BWIqbr EI_ 2. 建模过程
DyeQJ7p 2.1设置模拟条件
v2H#=E4cZ# C8vOE`U,J
UB 6mqjPK 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 JJ{9U(`_y6 |N}P(GF 5B&;uY 2.3创建掩膜并生成多畴结构
_~q?_'kx K4]g[z 3. 结果分析
bYi`R) 3.1 指向矢分布和透过率
YO}1(m u0#}9UKQ :WSDf VX 3.2所有畴的V-T曲线
3GuH857ov =JKv:</.G Qb)C[5a} 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
FBpH21|/y dn}` i