1. 建模任务
qw!_/Z3[ 1.1
模拟条件
{~"&$DY2 模拟区域:0~10
k0=$mmmPY 边界条件:Periodic
vsjl8L 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
6NO_S 单位长度:0.5
$_6DvJ0 6QCU:2IiL
8h&Ed=gi 1.2堆栈
结构 /A U&
X v Kzq7E 2. 建模过程
=]pcC 2.1设置模拟条件
X676*;:!. | %Dh
y]
Io`w(> 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 ::\7s BPoY32d"_ piRP2Lbm* 2.3创建掩膜并生成多畴结构
9tW=9<E ?#8s=t 3. 结果分析
YGBVGpE9 3.1 指向矢分布和透过率
D(MolsKc? :E ISms S$!)Uc\)A 3.2所有畴的V-T曲线
3H0~?z_ O\64)V
0 ,cR=W|6cQm 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
MCOz-8@|Y ZiBTe,;