1. 建模任务
!MQN H 1.1
模拟条件
T@^]i& 模拟区域:0~10
_x1EZ&dh 边界条件:Periodic
\.e4.[%[2- 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
G[idN3+# 单位长度:0.5
R|!B,b( +Zk,2ri
q;AT>" = ) 1.2堆栈
结构 ^+?|Qfi 59Sw+iZj 2. 建模过程
OuIv e>8 2.1设置模拟条件
5|$a =UIR }g f}eH
Gt/4F-Gn 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 j?n+>/sG, h7qBp300 DlE_W+F 2.3创建掩膜并生成多畴结构
&S74mV A~lIa$U$b 3. 结果分析
klWYuStZ 3.1 指向矢分布和透过率
%c^ m\E xk~Nmb} rVAL|0;3 3.2所有畴的V-T曲线
qX>Q+_^ L&Qi@D0P .gZZCf&? 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
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