1. 建模任务
8<8:+M} 1.1
模拟条件
fI{&#~f4C 模拟区域:0~10
x:),P-~w 边界条件:Periodic
Xejo_SV&? 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
iOU6V 单位长度:0.5
1FlX'[vh 8ZM&(Lz7u
6kpg+{; 1.2堆栈
结构 1*'HL# X*/ho 2. 建模过程
gtk7)Uh 2.1设置模拟条件
@k,z:~[C= ?OcJ)5C4
)Im#dVQs= 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 V@zg}C|e /178A;Jy =e9>FWf> 2.3创建掩膜并生成多畴结构
2NC.Z; Sdt`i 3. 结果分析
t&H?\)!4 3.1 指向矢分布和透过率
cq}EZ@ . =Xi07_8Ic< -I8=T]_D 3.2所有畴的V-T曲线
_P0T)-X\( YB(Q\hT~\; _ FpTFfB 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
U>]$a71 JMrEFk