1. 建模任务
'u9y\vUy 1.1
模拟条件
]]T,;|B 模拟区域:0~10
=
O|}R 边界条件:Periodic
XHm6K1mGZ 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
[&)*jc16 单位长度:0.5
A]MX^eY IeAi ' -YS9u[
1.2堆栈
结构 PnH5[4&k y
m?uj4I{ 2. 建模过程
juQ?k xOB 2.1设置模拟条件
!1#=j;N` w3M F62: F.AP)`6+*
2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 }?*$AVs2q x,c\q$8yH ~<"{u-q#K 2.3创建掩膜并生成多畴结构
!?z"d XdE|7=+s 3. 结果分析
A3|X`X 3.1 指向矢分布和透过率
^@<Ia-x g6@^n$Y X$=/H 6R5Z 3.2所有畴的V-T曲线
eC_i]q&o| \)cbg#v jpZ 7p; 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
S_;m+Ytg '`&b1Rc