1. 建模任务
{U-EBXV 1.1
模拟条件
n$l]+[> 模拟区域:0~10
0Jh:6F 边界条件:Periodic
{hR2NUm 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
cSk}53 单位长度:0.5
MV\zwH ??V["o T :%MWbnVSC,
1.2堆栈
结构 b.;}Hq> F|Q#KwN 2. 建模过程
_I4sy=tYXK 2.1设置模拟条件
V1A3l{>L Ngnjr7Q={T J[wXG6M
2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 5-^twXC& ?s33x# 3k^jR1 2.3创建掩膜并生成多畴结构
?9TogW>W 3:
Uik 3. 结果分析
EdpR| z 3.1 指向矢分布和透过率
;xwQzu%M>5 '7s!NF2 9 To6Rc; 3.2所有畴的V-T曲线
HXI}f\6x 90}B*3x xK3;/!\` 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
]
),'=@ Q>$L;1E*,