1. 建模任务
^VK-[Sz& 1.1
模拟条件
QM\vruTB 模拟区域:0~10
\V
/s 边界条件:Periodic
%6+J]U 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
4EQ7OGU 单位长度:0.5
X6kB
R Q&]
}`Rp= 7F5t&
1.2堆栈
结构 !C
*%,Ak jJkM:iR 2. 建模过程
7-6Z\.- 2.1设置模拟条件
}`8g0DPuD9 9I0/KuZd
O gh=s#DQsFw
2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 @kvgq 0ab dB+x,+%u+ kMWu%,s4 2.3创建掩膜并生成多畴结构
8
!Pk1P q>/#
P5V 3. 结果分析
2.ud P 3.1 指向矢分布和透过率
(Z"QHfO' (f#QETiV ^h{AAS> 3.2所有畴的V-T曲线
7F;"=DarOE r=Z#"68$ gP"p7\
( 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
jCDZ$W89 u*B.<GmN