1. 建模任务
sHn-#SGm 1.1
模拟条件
f*E#E=j 模拟区域:0~10
^6i,PRScS 边界条件:Periodic
#.W^7}H 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
Zy&?.d[z 单位长度:0.5
K1_#Jhz D\-D~G]x 7AuzGA0y
1.2堆栈
结构 (_Ky'. n1r'Y;G 2. 建模过程
nz_1Fu>g| 2.1设置模拟条件
kpLx?zW--q o|bm=&f vH)V\V
2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 .F^372hH3 SEXmVFsQ c#<p44>U 2.3创建掩膜并生成多畴结构
. g8db d _]6n]koD, 3. 结果分析
8/BWe
;4 3.1 指向矢分布和透过率
C<yjGtVD `w
K6B5> zya2 O?s 3.2所有畴的V-T曲线
wq
=Ef >}) W5Y+ :>3/*"vx?G 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
Xcw6mpLt mT&?DZ9<