1. 建模任务
T+/Gz' 1.1
模拟条件
/SD2e@x{U 模拟区域:0~10
dkf?lmC+M 边界条件:Periodic
)Nq$~aAm 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
iyhB;s5Rgw 单位长度:0.5
B6Tn8@O "|"bo5M:
(5N&bh`E 1.2堆栈
结构 0)qLW&
w ,G,T&W 2. 建模过程
f;%4O' 2.1设置模拟条件
N1!|nS3w Hw/1~O$T
*%cI,}% 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 r,b-c jX{lo )P.|Xk:r 2.3创建掩膜并生成多畴结构
z|yC [Ota Z;i^h,j?$1 3. 结果分析
G";yqG 3.1 指向矢分布和透过率
U=%S6uL\bx 413r3/ ?z60b=f8 3.2所有畴的V-T曲线
4 ITSDx Fk
1M5Dm +B'9!t4 2 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
gzHjD-g-< uBs[[9je(