1. 建模任务
cgnNO& 1.1
模拟条件
C:QB=?%; 模拟区域:0~10
amBg<P`'_ 边界条件:Periodic
+QChD* 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
S
'a- E![ 单位长度:0.5
=[B\50] _$~>O7 YQMWhC,8hy
1.2堆栈
结构 Kk3+ ]W< wKJG 31I^ 2. 建模过程
(s};MdXIz 2.1设置模拟条件
1`cH
E Aa |RX#5Q>z c~ss^[qx|
2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 u`bD`kfT> Uh}PB3WZ
.-gJS-.c 2.3创建掩膜并生成多畴结构
57\ 0MQO RvzZg%) 3. 结果分析
}7 N6nZj` 3.1 指向矢分布和透过率
`7"="T~ * 4G&`&fff] a4Q@sn;] 3.2所有畴的V-T曲线
?ZF):}rvZ fG0 ?"x@> D|uvgu2 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
*+M#D^qo vDjH $ U