1. 建模任务
d@QC[$qXj 1.1
模拟条件
WoSJp5By$ 模拟区域:0~10
r>kDRIHB 边界条件:Periodic
,/1[(^e 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
>sZ207* 单位长度:0.5
Xxmvg.Nl W^T6^q5;H
TM*<hC 1.2堆栈
结构 Z5[f |)pgUI2O[ 2. 建模过程
K[Ao_v2g 2.1设置模拟条件
jHx)q|2\ 1 GB
Zt{\<5j 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 5Vu@gRk_ noSBwP|v* uEE#A0 2.3创建掩膜并生成多畴结构
bA*T1Db,t> lKA2~ o 3. 结果分析
>G<.^~o 3.1 指向矢分布和透过率
nv-_\M KX $Q`lM
\-scGemH 3.2所有畴的V-T曲线
jb
{5
{z0PB] U .:?cU#. 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
h"849c;C. N^U<;O?YDW