切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 548阅读
    • 0回复

    [技术]CIGS太阳能电池中的吸收 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线infotek
     
    发帖
    6569
    光币
    26994
    光券
    0
    只看楼主 正序阅读 楼主  发表于: 2024-05-23
    摘要 t.YY?5 l  
    6'YsSde".  
    "oc&uj  
    Cg4l*"_  
    太阳能电池是可再生能源领域的一种基础技术。为了优化效率,大多数常见的设计使用薄膜结构和具有高吸收系数的介质——因为正是这种吸收的光能最终会转化为电流。基于铜铟硒化镓(CIGS)的太阳能电池,与基于其他材料的电池相比,它们可以变得更薄而不损失吸收效率,因此已经很普遍地使用了。 XA4miQn&  
    Ed$;#4  
    建模任务 $CgR~D2G  
    Bk)*Z/1<x  
    300nm~1100nm的平面波均匀光谱 Tu*"+*r>s  
    #eKg!]4-R  
    系统来源:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566 . v L4@_  
    !`$xN~_  
    探测器 ;{%R'  
    F-SD4a  
    功率(吸收功率将通过两个探测器的功率读数之差计算) &]xOjv/?  
    :K]&rGi,  
    太阳能电池 {!G  
    i=mk#.j~  
    ugT;NB  
    *我们假设太阳能电池是由一层带有防反射涂层的熔融石英保护的。 D Xjw"^x  
    2$OI(7b=  
    系统构建模块-分层的介质组件 |'?./  
    h|Z%b_a  
    b IZuZF>*  
    对于涂有涂层的反射镜,我们使用分层介质组件,因为它为x和y方向不变的膜层堆栈提供了一个快速和严格的解决方案。 -<MA\iSP  
    |?=a84n1l  
    系统构建模块-膜层矩阵求解器 5:r*em  
    分层介质组件采用膜层矩阵电磁场求解器。该求解器在空间频域(k域)中工作。它包括: FWu[{X;  
    每个均质层的特征值求解器。 F{;{o^Pv  
    一个用于所有界面上的匹配边界条件的s矩阵。 E]<Ce;Vj  
    kafRuO~$  
    特征值求解器计算每层均匀介质在k域内的电场解。s-矩阵算法通过递归匹配边界条件来计算整个膜层系统的响应。这是一种以其无条件数值稳定性而闻名的方法,因为与传统的传递矩阵不同,它避免了计算步骤中的指数增长函数。 5&QDZnsl  
    oMNgyAp^  
    dd{pF\a  
    更多信息: Hvj1R.I/  
    层矩阵(S矩阵) t<%S_J\  
    |y T-N3H@  
    系统构建模块-已采样的介质 zVL"$ )  
    ) }.<lSw  
    /j|Rz5@ =  
    VirtualLabFusion提供一个不同材料的综合目录,可以用于膜层。也可以从测量数据中导入材料数据。 I]dt1iXu_{  
    Eh{]so  
    系统构建模块-探测   KOqp@K$  
    N~/D| ?P~2  
    miCW(mbO8  
    总结——组件 C>bd HB7  
    ZM$}Xy\9  
    l{u2W$8  
    vsDR@Y}k  
    对不同厚度的CIGS层的吸收情况 SmR"gu  
    &y~EEh|  
       <R%]9#re  
    参考文献:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured 4PsJs<u  
    Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566. Ivdg1X  
    s2'] "wM  
    CIGS层厚度变化量:100/150/200nm =^L?Sgg  
    吸收材料的厚度是影响电池整体效率的最重要因素之一。 k 6)ThIG  
     
    分享到