切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 423阅读
    • 0回复

    [技术]CIGS太阳能电池中的吸收 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线infotek
     
    发帖
    6091
    光币
    24608
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2024-05-23
    摘要 +>&i]x(b  
     )[S#:PP  
    eJ*u]GH U  
    bm*.*A]  
    太阳能电池是可再生能源领域的一种基础技术。为了优化效率,大多数常见的设计使用薄膜结构和具有高吸收系数的介质——因为正是这种吸收的光能最终会转化为电流。基于铜铟硒化镓(CIGS)的太阳能电池,与基于其他材料的电池相比,它们可以变得更薄而不损失吸收效率,因此已经很普遍地使用了。 |oWl9j]Z  
    4U8N7  
    建模任务 eRqPZb"6MR  
    pCf9"LLer  
    300nm~1100nm的平面波均匀光谱 4s e6+oJe  
    jY2mn".N  
    系统来源:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566 A`--*$8\  
    w%?Zb[!&  
    探测器 3PjX;U|  
    |KR8=-!7  
    功率(吸收功率将通过两个探测器的功率读数之差计算) v <Ywfb  
    b'ZzDYN  
    太阳能电池 ur:8`+" (  
    4Q!|fn0Sv  
    {Rdh4ZKh  
    *我们假设太阳能电池是由一层带有防反射涂层的熔融石英保护的。 dWx@<(`OC  
    /-knqv  
    系统构建模块-分层的介质组件 4@+']vN4  
    )oALB vX  
    P L7(0b%  
    对于涂有涂层的反射镜,我们使用分层介质组件,因为它为x和y方向不变的膜层堆栈提供了一个快速和严格的解决方案。 uHsLlfTn  
    X }`o9]y  
    系统构建模块-膜层矩阵求解器 NEUr w/  
    分层介质组件采用膜层矩阵电磁场求解器。该求解器在空间频域(k域)中工作。它包括: ]v/pMg#-  
    每个均质层的特征值求解器。 b^STegz  
    一个用于所有界面上的匹配边界条件的s矩阵。 U(PW$\l  
    nQOzKw<j%  
    特征值求解器计算每层均匀介质在k域内的电场解。s-矩阵算法通过递归匹配边界条件来计算整个膜层系统的响应。这是一种以其无条件数值稳定性而闻名的方法,因为与传统的传递矩阵不同,它避免了计算步骤中的指数增长函数。 v, CWE  
    c1q;  
    d A'0'M  
    更多信息: (q0vql  
    层矩阵(S矩阵) E/hT/BOPK  
    %Z+**>1J  
    系统构建模块-已采样的介质 T, +=ka$  
    ,1g_{dMx  
    ]%ewxF  
    VirtualLabFusion提供一个不同材料的综合目录,可以用于膜层。也可以从测量数据中导入材料数据。 F [Lg,}  
    52 *ii  
    系统构建模块-探测   ^9`|QF  
    [7Q%c!e$*  
    3GNcnb  
    总结——组件 yM}3u4FG  
    P:_bF>r ?  
    hH9~.4+*`g  
    ,J '_Vi  
    对不同厚度的CIGS层的吸收情况 obGhO  
    1 +s;a]-C  
       !g`I*ZE+e  
    参考文献:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured J0 dY%pH#  
    Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566. x#5vdBf  
    fJP *RVz  
    CIGS层厚度变化量:100/150/200nm u(fZ^  
    吸收材料的厚度是影响电池整体效率的最重要因素之一。 @( \R@`#  
     
    分享到