切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 570阅读
    • 0回复

    [技术]OptiBPM:创建一个简单的多模干涉(MMI)耦合器 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线infotek
     
    发帖
    5937
    光币
    23838
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2024-03-28
    主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: M $ CnaH  
    • 定义MMI耦合器的材料 M] 7#  
    • 定义布局设定; T@Mrbravc  
    • 创建一个MMI耦合器; o-c.D=~  
    • 插入输入面; e-Mei7{%  
    • 运行模拟 .]24V!J(1w  
    • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 ,#m:U5#h  
    *d b,N'rK  
    1. 定义MMI耦合器的材料 s,Azcqem  
    为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: j"1#n? 0  
    1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ muc6gwBp  
    l$ ^LY)i  
    图1.初始性能对话框
    dg-nv]7  
    2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” x}B3h9]  
    NCL!|  
    图2.轮廓设计窗口
    W"$sN8K>)  
    3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 \SKobO?qI  
    /-s-W<S[  
    图3.电介质材料创建窗口
    t>Lq "]1  
    4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: (ZSd7qH"  
    − Name : Guide ip8%9fG\>  
    − Refractive Index (Re) : 3.3 bf@H(gCW=  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 &L`^\B]k|  
    =Z}$X: $  
    图4.创建Guide材料
    P.aN4 9`=  
    5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: 2+s#5K&i  
    − Name : Cladding /0CS2mLC  
    − Refractive Index (Re) : 3.27 A*^aBWFR  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 @S9^~W3G3  
    OGcq]ue  
          
    图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 bY&!d.  
    6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: z>lIZ}  
    − Name : Guide_Channel :<gC7UW  
    − 2D profile definition: Guide ? `hA:X<  
    − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 h(C@IIO^;G  
    V$0mcwH  
    P_}wjz}9ZX  
    *{DpNV8"  
    图6.构建通道
    2. 定义布局设定 aGBUFCCa  
    为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: g|TWoRx:  
    1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 4g+Dp&U  
    − Width:2.8 \?tE,\Ln  
    注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 ~)CGwST[  
    − Profile:Channel-Guide 7D&O5Z=%+  
    图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
    Ua%;hI)j$  
    g~p43sVV  
    2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: j[CXIz?c  
    − Length:5300 q\Q'9Rl0(  
    − Width:60 T {:8,CiW  
    图8.设置晶圆尺寸
    Y[!s:3\f  
    { k>T*/  
    3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: []:&WA 9N  
    − Material:Cladding 7?ICXhu9  
    − 点击OK以激活布局窗口 "*< )pnJ  
    图9.晶圆材料设置
    eHb@qKnf  
    2Q=I`H _  
    4) 布局窗口 O!se-h5mW8  
    图10.默认情况下布局窗口显示
    zb3,2D+P  
    u.ej<Lo  
    5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: (&MtK1;;  
    − View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 E5qt~:C|  
    − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 xL [3R   
    − 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 i&^]qL|J  
    图11.调整Z方向和X方向的显示比率 ~^bf1W[  
    图12.最终布局显示
    Gv&%cq1  
    _9yW; i-  
    3. 创建一个MMI耦合器 J4%"38l  
    为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: m$bYx~K  
    1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 +;T\:'CU  
    2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 hx!:F"#  
    o-<XR9,N*  
    图13 .绘制第一个线性波动
     
    分享到