切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 1174阅读
    • 0回复

    [技术]OptiBPM:创建一个简单的多模干涉(MMI)耦合器 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线infotek
     
    发帖
    7180
    光币
    30041
    光券
    0
    只看楼主 正序阅读 楼主  发表于: 2024-03-28
    主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: MSA*XDnN  
    • 定义MMI耦合器的材料 f@ySTz;u  
    • 定义布局设定; IgVxWh#  
    • 创建一个MMI耦合器;  #/n\C  
    • 插入输入面; Cu}Rq!9i  
    • 运行模拟 M$w^g8F27H  
    • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 8g<3J-7Mm  
    RAe:$Iv$!v  
    1. 定义MMI耦合器的材料 ,+2ytN*  
    为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: Lm8 cY  
    1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ SgJQH7N  
    bH&[O`vf  
    图1.初始性能对话框
    q*2ljcb55  
    2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” jvW/M.q4  
    @+\OoOK<L  
    图2.轮廓设计窗口
    ='~C$%  
    3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 vsc&$r3!5{  
    &cZD{Z  
    图3.电介质材料创建窗口
    u+hzCCwtR  
    4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: zD?<m J`  
    − Name : Guide K2&pTA~OR  
    − Refractive Index (Re) : 3.3 }lhJt|qc  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 *F=w MWa  
    t&ngOF  
    图4.创建Guide材料
    $L?stgU  
    5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: T1Xm^{  
    − Name : Cladding /<GygRs  
    − Refractive Index (Re) : 3.27 m~# O ~)  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ) ~X\W\  
    oSxHTbp?  
          
    图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 *8Gx_$t&  
    6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: KVJiCdg-  
    − Name : Guide_Channel D>05F,a  
    − 2D profile definition: Guide Fe: 0nr9;  
    − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 0LxA+  
    2OEO b,`  
    q W) ,)i  
    --y .q~d  
    图6.构建通道
    2. 定义布局设定 R:=i/P/  
    为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: UA}k"uM  
    1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 $BCqz! 4K  
    − Width:2.8 {4UlJ,Z.n  
    注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 7|\[ipVX:3  
    − Profile:Channel-Guide +.{_n(kU  
    图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
    9;kWuP>k4u  
    iz>a0~(K  
    2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: HnrT;!C~  
    − Length:5300 6 :J @  
    − Width:60 M++*AZ  
    图8.设置晶圆尺寸
    X#IVjc:&L  
    v@[MX- ,8  
    3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: ?:~ `?  
    − Material:Cladding W%) foJ  
    − 点击OK以激活布局窗口 Z3=t"  
    图9.晶圆材料设置
    R/U"]Rc  
    e%#9|/uP  
    4) 布局窗口 B$aboL2  
    图10.默认情况下布局窗口显示
    I 91`~0L*  
    ;DBO  
    5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: }Z"<KF  
    − View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 EPW Iu)A  
    − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 P6dIU/w  
    − 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 "C%;9_ig$  
    图11.调整Z方向和X方向的显示比率 G ? H`9*y  
    图12.最终布局显示
    }B^KV#_{S  
    L3'o2@$  
    3. 创建一个MMI耦合器 a'rN&*P  
    为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: | \C{R  
    1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 d2Bn`VI  
    2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 0~Z2$`(  
    =2# C{u.  
    图13 .绘制第一个线性波动
    本主题包含附件,请 登录 后查看, 或者 注册 成为会员
     
    分享到