主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
HF&h • 定义MMI耦合器的
材料;
BKE\SWu • 定义布局设定;
:"M9*XeHO • 创建一个MMI耦合器;
935-{h@k • 插入输入面;
o,S!RG& • 运行
模拟;
v%H"_T • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
&Pu+(~'Q C6K|:IK{ 1. 定义MMI耦合器的材料
g(-;_j!= 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
ruZYehu1W 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
ki;!WhF~ 0hrCG3k.91 图1.初始性能对话框
l;XU#6{ 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
zyaW3th z$9@j2
图2.轮廓设计窗口
0M$#95n 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
c@RT$Q9j ]LEoOdDN"C 图3.电介质材料创建窗口
E:08%4O 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
0n4g$JK7 − Name : Guide
FX%t − Refractive Index (Re) : 3.3
SQh+5 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
hMNJ'i} u|(Ux~O
图4.创建Guide材料
C-Nuy1o 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
H"#)&a7 − Name : Cladding
n11LxGwk − Refractive Index (Re) : 3.27
\bU` − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
tlDYk y\^@p=e
图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 >F/XZC
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
xU@1!%l@ − Name : Guide_Channel
Rb)|66&3& − 2D profile definition: Guide
T36x=LX − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
DH:J dw~[9oh ypH8QfxLTr
h aCKv
图6.构建通道
2. 定义布局设定
ERF,tLa! 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
vwVVBG;t 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
y>$1UwQ − Width:2.8
QS^~77q 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
Ski G2n] − Profile:Channel-Guide
Vr 8:nP: 图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
W$r^ #>=8w9] 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
4AQ[igTDP − Length:5300
G%S6$@: − Width:60
>W
r$Y{ 图8.设置晶圆尺寸
}<=3W5+ @@Q6TB 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:
wtSvJI~o) − Material:Cladding
%4,xx'` − 点击OK以激活布局窗口
\SOeTn+ 图9.晶圆材料设置
sm1;MF]/u 6JSY56v 4) 布局窗口
7Re-5vz
R 图10.默认情况下布局窗口显示
TtPr)F| RAV^D. 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:
3E,DipHg − View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
J@QdieW6 − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示
L?8^aG − 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
Cc!J1) 图11.调整Z方向和X方向的显示比率 8.yCA
图12.最终布局显示
X]!D;7^ W .U+.hR 3. 创建一个MMI耦合器
}z
wX 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
ys%zlbj[ 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导
it)ZP H 2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
.#0H{mk ?eV_ACpZ8 图13 .绘制第一个线性波动