主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
\2))c@@% • 定义MMI耦合器的
材料;
6,cJ3~!48 • 定义布局设定;
4$+1&+@ ] • 创建一个MMI耦合器;
UQ#t & • 插入输入面;
ZM16 ~k • 运行
模拟;
?DGg.2f • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
H<9_BA? 4;*jE ( 1. 定义MMI耦合器的材料
4<V}Aj8l 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
|Kb
m74Z% 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
ykYef fE"-W{M 图1.初始性能对话框
Y'<wE2ZL) 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
AO238RC!: `a `>Mtl 图2.轮廓设计窗口
A{p_I< 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
=P%?{7 {l"(EeW6) 图3.电介质材料创建窗口
:s*t\09V7 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
3i1TBhs6 − Name : Guide
#&X5Di[A − Refractive Index (Re) : 3.3
X-*LA*xbN − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
6UI6E)g N[A9J7}_R 图4.创建Guide材料
U@9v(TfV 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
lAR1gHhJ − Name : Cladding
iURSYR − Refractive Index (Re) : 3.27
6of9lO: − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
>n3ig~0d "U!Vdt2vp 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 =QK ucLo
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
RN&6z"|jR − Name : Guide_Channel
zZ,"HY=jN − 2D profile definition: Guide
A4g,) − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
%l?*w~x PeIKx$$Kl{ 85e*um^
eA*We
图6.构建通道
2. 定义布局设定
fr'DV/T 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
b;FaTm@ 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
:k-@w5( − Width:2.8
;d<O/y,:4 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
W[R`],x` − Profile:Channel-Guide
&kcmkRRG 图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
4V c``Um T"t.t%(8 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
E@EP9X
> − Length:5300
k<