主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
V#0
dGP-Z • 定义MMI耦合器的
材料;
}bf=Ntk • 定义布局设定;
c~}={4M] • 创建一个MMI耦合器;
'qL5$ zG • 插入输入面;
%9C` • 运行
模拟;
4^DVW*OiI • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
o"p^/'ri ryxYcEM0 1. 定义MMI耦合器的材料
p$Kj<:qiP 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
MA\m[h] 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
@Od^k# EntF@ln! 图1.初始性能对话框
B< |VeU 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
e>l,(ql Eh\ 1O(a( 图2.轮廓设计窗口
_1^8xFe2 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
A4G,}r *n "h=6Q+Ze 图3.电介质材料创建窗口
q!6|lZ B3 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
D ]OD. − Name : Guide
gmh5
%2M − Refractive Index (Re) : 3.3
2fl4h<V − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
c$0_R;4/ ep+ 图4.创建Guide材料
' .B.V?7 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
egm)a
− Name : Cladding
AL$W +') − Refractive Index (Re) : 3.27
} h[>U − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
M`GP^Ta =/FF1jQ 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 .xO
_E1Ku;
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
s/
M7Zl − Name : Guide_Channel
zZ%DtxUoU. − 2D profile definition: Guide
LVnHt} − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
s]U4B<q KOjluP 3{"byfO#%
Nl@k*^
图6.构建通道
2. 定义布局设定
(}Sr08m 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
6*u,c^a 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
N{8"s&