切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 1016阅读
    • 0回复

    [技术]OptiBPM:创建一个简单的多模干涉(MMI)耦合器 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线infotek
     
    发帖
    7060
    光币
    29445
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2024-03-28
    主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: @TX@78fWz=  
    • 定义MMI耦合器的材料 ?!/8~'xA6  
    • 定义布局设定; #62ThH~  
    • 创建一个MMI耦合器; ?Tu=-ppw  
    • 插入输入面; KG9-ac  
    • 运行模拟 r jxkgd  
    • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 R8eBIJ/@_  
    ~gGkw#  
    1. 定义MMI耦合器的材料 DI2e%`$  
    为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: )oz2V9X{  
    1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ $Cfp1#  
    rKI<!  
    图1.初始性能对话框
    K[0z$T\  
    2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” cfa1"u""e  
    G/ ~gF7  
    图2.轮廓设计窗口
    S.1>bs2  
    3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 9+s&|XS*  
    9#&H'mG  
    图3.电介质材料创建窗口
    9&.md,U'  
    4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: =BE!  
    − Name : Guide g52)/HM  
    − Refractive Index (Re) : 3.3 3W_7xLA  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 B@i%B+qCLv  
    ujmIS~"  
    图4.创建Guide材料
    zNoFM/1Vb  
    5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: xP&7i'ag  
    − Name : Cladding Yk|.UuXT  
    − Refractive Index (Re) : 3.27 1Q? RD%lkf  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 <bSPKTKL  
    ~+Pe=~a[  
          
    图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 &Mudu/KTr  
    6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: x4L3Z__  
    − Name : Guide_Channel y_Urzgm(  
    − 2D profile definition: Guide r~ f;g9I  
    − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 /_{ZWLi(  
    t[>UAr1Vt  
    tp7$t#  
    tcv(<0  
    图6.构建通道
    2. 定义布局设定 0 D '^:  
    为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: 7Vh  
    1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 5 m-/N ?c  
    − Width:2.8 0+@:f^3]!  
    注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 R5^6Kwu  
    − Profile:Channel-Guide SE^l`.U@  
    图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
    ,f:K)^yD  
    2sk7E'2(  
    2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: 'b}RFzEn  
    − Length:5300 _u$DcA8B  
    − Width:60 E7? n'!=  
    图8.设置晶圆尺寸
    WlvT&W  
    ")i)vXF'  
    3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:  .nrbd#i-  
    − Material:Cladding NiW9/(;xB  
    − 点击OK以激活布局窗口 iO?^y(phC  
    图9.晶圆材料设置
    tJ>>cFx  
    ppvlU H5;  
    4) 布局窗口 ly[d V.<P  
    图10.默认情况下布局窗口显示
    Aixe?A_x  
    ZSe30Rl\  
    5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: {%9@{Q'T.s  
    − View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 s_fe4K  
    − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 z`E=V  
    − 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 a@W9\b@I  
    图11.调整Z方向和X方向的显示比率 ~B"HI+:\L  
    图12.最终布局显示
    HB5-B XBU  
    >L4F'#I  
    3. 创建一个MMI耦合器 2xO[ ?fR  
    为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: Y]0c%Fd  
    1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 [(#)9/3,  
    2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 l~]] RgU  
    a4~B  
    图13 .绘制第一个线性波动
    本主题包含附件,请 登录 后查看, 或者 注册 成为会员
     
    分享到