主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
],zp~yVU& • 定义MMI耦合器的
材料;
j0=H6Y • 定义布局设定;
+
:b"0pu-H • 创建一个MMI耦合器;
+R8dy • 插入输入面;
<c,iu{: • 运行
模拟;
{XnBj}C • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
x_(K%0+Ca zTn.#-7y 1. 定义MMI耦合器的材料
;hd%wmE 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
zRR^v&.9K 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
A`I1G9s |B2>}Y/ 图1.初始性能对话框
vcP_gJz 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
I5Rd~-="G a\p`J 9Z@ 图2.轮廓设计窗口
JFkx=![ 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
cNy*< Tv |g<l|lqz| 图3.电介质材料创建窗口
IY@N 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
[| C − Name : Guide
&5%~Qw.. − Refractive Index (Re) : 3.3
1CUI6@Cz) − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
&~=d;llkT =<P$mFP2* 图4.创建Guide材料
- C8VDjf9 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
PoRP]Q*n − Name : Cladding
aMxM3" − Refractive Index (Re) : 3.27
g(o^'f − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
v#5hK<9 r;"Qu 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 (J
j'kW6G6
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
k+eeVy − Name : Guide_Channel
h~Z:YY)4 − 2D profile definition: Guide
B\~(:(OPM] − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
j:2*hF!E H00iy$R i06|P I
uJ3*AO
图6.构建通道
2. 定义布局设定
D@
BP< 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
\.=,}sV2Z 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
w6AG:u − Width:2.8
V'l9fj*E 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
YizwKcuZ − Profile:Channel-Guide
pO N@ 图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
87R$Y> V ^W0eRT 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
&