主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
{8L)Fw • 定义MMI耦合器的
材料;
TTNgnP • 定义布局设定;
"v.]s;g • 创建一个MMI耦合器;
t<`h(RczHI • 插入输入面;
aFkxR\x
6% • 运行
模拟;
-I, _{3.S • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
9`[#4'1Mik G'|Emu=4 1. 定义MMI耦合器的材料
WW.\5kBl8 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
TF\<`}akX 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
b0\'JZ ONx|c'0g 图1.初始性能对话框
ZqI.n4:9 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
D+ki2UVt& Y~RZf /` 图2.轮廓设计窗口
@G/':N 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
#
SmM5% OL+!,Y 图3.电介质材料创建窗口
6{O#!o*g 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
jgiP2k[Xom − Name : Guide
A<6V$e$:2 − Refractive Index (Re) : 3.3
" mKMym2 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
+B*8$^,V) FV[6">;g 图4.创建Guide材料
j/zD`ydj 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
Kuh! b`9 − Name : Cladding
f;/t7=>d − Refractive Index (Re) : 3.27
Z=: oIAe − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
Pn{yk`6E lYd#pNN
图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 #unE>#DW
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
b0a'Y"oef4 − Name : Guide_Channel
Z$R2Z$f − 2D profile definition: Guide
k&nhF9Y4 − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
B3I\= vcB+h;x =N,KVMxw
^qpa[6D6x
图6.构建通道
2. 定义布局设定
"?j|;p@!> 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
c%.f|/.k
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
+n(H"I7cU − Width:2.8
$XS0:C0 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
m RCgKW< − Profile:Channel-Guide
-X@;"0v 图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
QN(f8t( TJtW?c7 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
X.0/F6U − Length:5300
A>L(#lz#ek − Width:60
=erA.u 图8.设置晶圆尺寸
h3;Ij ' <$.KCLP 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:
|Sg *j-. − Material:Cladding
$8&HpX#h$ − 点击OK以激活布局窗口
&Q