切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 1256阅读
    • 0回复

    [技术]OptiBPM:创建一个简单的多模干涉(MMI)耦合器 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线infotek
     
    发帖
    7340
    光币
    30841
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2024-03-28
    主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: 6 - IThC  
    • 定义MMI耦合器的材料; {cmV{ 4Yx  
    • 定义布局设定; b$Q#Fv&P  
    • 创建一个MMI耦合器; ?3do-tTp  
    • 插入输入面; s:J QV  
    • 运行模拟; IYe,VL  
    • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 m0]Lc{  
    Lv@'v4.({  
    1. 定义MMI耦合器的材料 p{;FO?  
    为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: p*|Ct  
    1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ !=]cASPGD  
    })C}'!+]  
    图1.初始性能对话框
    RpzW-  
    2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” JPq' C$  
    HjT-5>I7f  
    图2.轮廓设计窗口
    \N.Bx  
    3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 Tz{-L%*#  
    xd!GRJ<I  
    图3.电介质材料创建窗口
    qjH/E6GGg  
    4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: vq1u !SY  
    − Name : Guide 1WAps#b.  
    − Refractive Index (Re) : 3.3 %)=c#H1  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 R2y~+tko?  
    O7yIFqI=/  
    图4.创建Guide材料
    i)@H  
    5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: Dj{=Y`Tw  
    − Name : Cladding _@O.EksY3r  
    − Refractive Index (Re) : 3.27 .s>.O6(^%  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 Ex5 LhRe>=  
    5$c*r$t_RK  
          
    图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 43Ua@KNi  
    6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: 5)i+x-  
    − Name : Guide_Channel IhXP~C6  
    − 2D profile definition: Guide ^@;P-0Sy  
    − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 N2&h yM  
    6,(S}x YDZ  
    T *rz#O  
    -fDW>]_  
    图6.构建通道
    2. 定义布局设定 _aw49ag;  
    为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: R RnT.MU  
    1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 d>Ky(wS  
    − Width:2.8 trlZ  
    注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 2Jqr"|sw  
    − Profile:Channel-Guide 9C: V i  
    图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
    4GexYDk'#  
    PF:'dv  
    2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: [ip}f4K  
    − Length:5300 b#Vm;6BHD1  
    − Width:60 N.-*ig.YR7  
    图8.设置晶圆尺寸
    D3x W?$Z  
    .>^U mM  
    3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: \+)AQ!E  
    − Material:Cladding %[fZ@!B  
    − 点击OK以激活布局窗口 9KMtPBZ  
    图9.晶圆材料设置
    ,m;G:3}48  
    z/|tsVK  
    4) 布局窗口 F`57;)F  
    图10.默认情况下布局窗口显示
    :7pt=IA  
    xDIl  
    5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: Yw,LEXLY  
    − View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 yOyuMZo6  
    − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 r_3=+  
    − 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 :YNXS;>)!  
    图11.调整Z方向和X方向的显示比率 %R?#Y1Tq;  
    图12.最终布局显示
    eKL3Y_5p@  
    >/y+;<MZ  
    3. 创建一个MMI耦合器 K<fB]44Y  
    为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: iH)-8Q  
    1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 ;D}E/' =  
    2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 ,pa=OF  
    XVY j X  
    图13 .绘制第一个线性波动
    本主题包含附件,请 登录 后查看, 或者 注册 成为会员
     
    分享到