切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 975阅读
    • 0回复

    [技术]OptiBPM:创建一个简单的多模干涉(MMI)耦合器 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    在线infotek
     
    发帖
    7036
    光币
    29325
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2024-03-28
    主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: 3Z'{#<1>^;  
    • 定义MMI耦合器的材料 sZ-]yr\E"  
    • 定义布局设定; my")/e  
    • 创建一个MMI耦合器; bIizh8d?  
    • 插入输入面; U-TwrX  
    • 运行模拟 +7<{yP6wU  
    • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 XzQ=8r>l  
    :EyH'v  
    1. 定义MMI耦合器的材料 #ITx[X89|  
    为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: fD q, )~D  
    1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ ac.O#6&  
    #I@]8U#,":  
    图1.初始性能对话框
    ^e8R 43w:!  
    2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” {mL/)\  
    ~U8#Iq1  
    图2.轮廓设计窗口
    c}mJ6Pt  
    3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 p'k stiB  
    ^Gv<Xl  
    图3.电介质材料创建窗口
    GT%V,OJ  
    4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: 7V0:^Jov  
    − Name : Guide [RD ^@~x  
    − Refractive Index (Re) : 3.3 6u7 (}K  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 !N,Z3p>Q  
    +,>f-kaV  
    图4.创建Guide材料
    @.*[CC;&  
    5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: *ILS/`mdav  
    − Name : Cladding XoSjYG(>,  
    − Refractive Index (Re) : 3.27 8<P$E!  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 CpS' 2@6  
    ~B(]0:  
          
    图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 LO.4sO  
    6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: ^yK94U;<Gy  
    − Name : Guide_Channel }(E6:h;}~  
    − 2D profile definition: Guide [&nwB!kt  
    − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 ~J<bwF  
    zwU8iVDe  
    + y.IDn^  
    PR|Trnd&D  
    图6.构建通道
    2. 定义布局设定 RU"w|Qu>pM  
    为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: *BXtE8 BU  
    1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 &;)~bS(   
    − Width:2.8 `4}!+fXQ  
    注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 9,`mH0jP  
    − Profile:Channel-Guide ?RpT_u  
    图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
    -(cm  
    JF{,;&sj  
    2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: T]^F%D%  
    − Length:5300 <Dm6CH  
    − Width:60 20?i4h_  
    图8.设置晶圆尺寸
    puqLXDjA/  
    Y ga}8DU  
    3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: }0 <x4|=  
    − Material:Cladding MCh8Q|Yx4  
    − 点击OK以激活布局窗口 a+{g~/z;,Q  
    图9.晶圆材料设置
    WP]<\_r2  
    (X!/tw,.  
    4) 布局窗口 eU%5CVH.v  
    图10.默认情况下布局窗口显示
    i"rMP#7  
    @O45s\4-*  
    5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: ''5%5(Y.r  
    − View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 =oQzL  
    − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 J$e.$ah;  
    − 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 w|L~+   
    图11.调整Z方向和X方向的显示比率 On'3K+(_  
    图12.最终布局显示
    fykN\b  
    J`RNik*>  
    3. 创建一个MMI耦合器 ,x Tbt4J  
    为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: #Ejly2C,  
    1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 vhL&az  
    2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 ]#BXaBVMY  
    Mxd fuFss  
    图13 .绘制第一个线性波动
    本主题包含附件,请 登录 后查看, 或者 注册 成为会员
     
    分享到