切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 658阅读
    • 0回复

    [技术]OptiBPM:创建一个简单的多模干涉(MMI)耦合器 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    在线infotek
     
    发帖
    6358
    光币
    25935
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2024-03-28
    主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: [a.(0YLr'w  
    • 定义MMI耦合器的材料 ~/Y8wxg  
    • 定义布局设定; Kr`.q:0GK  
    • 创建一个MMI耦合器; F5{GMn;j  
    • 插入输入面; COd~H  
    • 运行模拟 W k"_lJ  
    • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 qj^A   
    Y 2^y73&k  
    1. 定义MMI耦合器的材料 -$kbj*b##  
    为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: 0|{":i_s  
    1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ (1'sBm7F  
     h}}7_I9  
    图1.初始性能对话框
    QwuSo{G  
    2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” G#='*v OtO  
    c~6ywuq+M`  
    图2.轮廓设计窗口
    i,L"%q)C  
    3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 [7[$P.MS{  
    d8WEsQ+)A  
    图3.电介质材料创建窗口
    $GVf;M2*  
    4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: `g{eWY1l  
    − Name : Guide <!X]$kvG  
    − Refractive Index (Re) : 3.3 nVGOhYn  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 u%Z4 8wr  
    Rb <{o8  
    图4.创建Guide材料
    f Qw|SW  
    5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: }@53*h i(  
    − Name : Cladding >_X(rar0  
    − Refractive Index (Re) : 3.27 }-&#vP~I  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ~\zIb/ #  
    'NnmLM(oh  
          
    图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 (e<p^T J]  
    6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: Nt[&rO3s  
    − Name : Guide_Channel RC!T1o~L  
    − 2D profile definition: Guide 5=!aq\ 5  
    − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 |~=4Z rcCP  
    =J )(=,  
    Kn\$\?u  
    C+gu'hD  
    图6.构建通道
    2. 定义布局设定 prxmDI   
    为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: QFhQfn  
    1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 8)J,jh9q  
    − Width:2.8 >~&7D`O  
    注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 p\xsW "=8q  
    − Profile:Channel-Guide > !HC ?  
    图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
    ZaFqGcS~  
    WW~QK2o-@  
    2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: w_q =mKu  
    − Length:5300 HGW;]8xl  
    − Width:60 mPi{:  
    图8.设置晶圆尺寸
    %5 <t3 H"  
    u?8e>a  
    3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: 3N{ ZX{}  
    − Material:Cladding AOCiIPw  
    − 点击OK以激活布局窗口 ,Lw '3  
    图9.晶圆材料设置
    q -^Z=,<  
    J-Fqw-<aFJ  
    4) 布局窗口 P"c7h7  
    图10.默认情况下布局窗口显示
    m RtE~~p  
    23`pog{n  
    5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: 0y#TGM|0D  
    − View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 j<i: rk|  
    − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 e1K{*h  
    − 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 v=+>ids  
    图11.调整Z方向和X方向的显示比率 Umk!m] q  
    图12.最终布局显示
    $EuI2.o  
    U,$^| Iz  
    3. 创建一个MMI耦合器 i(<do "Am<  
    为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: q.RW_t~  
    1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 |7G=f9V  
    2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 =7U 8`]WA  
    v>mr  
    图13 .绘制第一个线性波动
     
    分享到