切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 1175阅读
    • 0回复

    [技术]OptiBPM:创建一个简单的多模干涉(MMI)耦合器 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线infotek
     
    发帖
    7180
    光币
    30041
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2024-03-28
    主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: D1x~d<j  
    • 定义MMI耦合器的材料 '6[0NuB  
    • 定义布局设定; M%yT?R+  
    • 创建一个MMI耦合器; -*+7-9A I  
    • 插入输入面; 6uR :/PTG  
    • 运行模拟 6|["!AUI  
    • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 ;/ WtO2  
    ob-z-iDz  
    1. 定义MMI耦合器的材料 :/d#U:I  
    为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: B-'Xk{  
    1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ wVV'9pw}  
    JKXs/r;:  
    图1.初始性能对话框
    8@Y]dz gjj  
    2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” #t po@pJsE  
    <5?.S{Z9  
    图2.轮廓设计窗口
    ,Q2`N{f  
    3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 I@7^H48\  
    ZVk_qA%  
    图3.电介质材料创建窗口
    \_CC6J0k  
    4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: f*LDrAf9  
    − Name : Guide bp;b;f>  
    − Refractive Index (Re) : 3.3 NKh"x&R  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 3|l+&LF!IC  
    Rw=g g >\  
    图4.创建Guide材料
    :a nUr<  
    5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: 8v5cQ5Lc  
    − Name : Cladding .G4(Ryh  
    − Refractive Index (Re) : 3.27 cZPv6c_w  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ?%{v1(  
    gb( a`  
          
    图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 #-Ehg4W  
    6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: Yfs60f  
    − Name : Guide_Channel |ILj}4ZA7  
    − 2D profile definition: Guide -Wb/3 X  
    − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 fiES6VL  
    @y2{LUJe  
    Mx4 <F "9  
    +MvcW.W~  
    图6.构建通道
    2. 定义布局设定 d[6[3B  
    为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: )Gh"(]-<  
    1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 Uf 1i "VY  
    − Width:2.8 iQ~;to;Y  
    注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 ~bf-uHx  
    − Profile:Channel-Guide S[n ;u-U  
    图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
    B_aLqB]U  
    OB.TAoH:  
    2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: xi %u)p  
    − Length:5300 ncuqo'r  
    − Width:60 i<m1^a#C'  
    图8.设置晶圆尺寸
    a;r,*zZ="  
    @6~r7/WD  
    3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: &$:1rA_v  
    − Material:Cladding xRuAt/aC  
    − 点击OK以激活布局窗口 { r yv7G  
    图9.晶圆材料设置
    9nu!|reS  
    "eA4JL\%)  
    4) 布局窗口 yM`J+tq  
    图10.默认情况下布局窗口显示
    >TK:&V  
    +fBbW::R^  
    5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: lZCTthr\  
    − View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 *9Ej fs7L  
    − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 \fj* .[,  
    − 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 r#M0X^4A  
    图11.调整Z方向和X方向的显示比率 P+tRxpz  
    图12.最终布局显示
    p6VS<L  
    VEj-%"\   
    3. 创建一个MMI耦合器 4^/MDM@  
    为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: G~b/!clN  
    1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 %{?EfULg  
    2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 G6]W'Kk  
    (,*e\o  
    图13 .绘制第一个线性波动
    本主题包含附件,请 登录 后查看, 或者 注册 成为会员
     
    分享到