切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 865阅读
    • 0回复

    [技术]OptiBPM:创建一个简单的多模干涉(MMI)耦合器 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线infotek
     
    发帖
    6926
    光币
    28780
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2024-03-28
    主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: U2$d%8G  
    • 定义MMI耦合器的材料 k")R[)92b?  
    • 定义布局设定; $GYm6x\4  
    • 创建一个MMI耦合器; ~a%Z;Aj  
    • 插入输入面; 7ByTnYe~S  
    • 运行模拟 J5*tJoCYS  
    • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 8m5p_\&  
    Q)"C&) `l  
    1. 定义MMI耦合器的材料 aGK?x1_  
    为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: SH3|sXH<  
    1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ z MLK7+  
    ,_|]Ufr!a  
    图1.初始性能对话框
    mt9 .x  
    2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” m_hN*v Py  
    l;af~ef)'  
    图2.轮廓设计窗口
    _,q)hOI  
    3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 Y;nZ=9Sw  
    `))\}C@k  
    图3.电介质材料创建窗口
     zG+R5:  
    4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: .id)VF-l  
    − Name : Guide ;V^ 112|C  
    − Refractive Index (Re) : 3.3 u?>B)PW  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 C?ulj9=Z  
    {zQS$VhXr  
    图4.创建Guide材料
    rJFc({ 0  
    5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: Z -,J)gW  
    − Name : Cladding `IOs-%s  
    − Refractive Index (Re) : 3.27 lW<PoT  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 m7&O9?X  
    U ?'vXa  
          
    图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 !)  S ?m  
    6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: ;g6M%;1-  
    − Name : Guide_Channel b5,x1`#7k  
    − 2D profile definition: Guide Y^36>1.:  
    − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 79nG|Yj|\  
    U;bK!&Z  
    y+!+ D[x  
    <$6QDfa#  
    图6.构建通道
    2. 定义布局设定  XEC(P  
    为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: BQBeo&n6  
    1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 Ys -T0  
    − Width:2.8 UUF ;p2{f  
    注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 bB }$'  
    − Profile:Channel-Guide u4.ngjJ  
    图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
    iQ4);du  
    YWMGB#=  
    2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: !l_lo`)  
    − Length:5300 _nD$b={g  
    − Width:60 hOFOO_byzO  
    图8.设置晶圆尺寸
    ygeDcnvR]  
    o8zy^zN$6  
    3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: $p#%G#T  
    − Material:Cladding 9m|kgY# 4  
    − 点击OK以激活布局窗口 \I["2C]3M  
    图9.晶圆材料设置
    I<Ksi~*i  
    jAy^J(+  
    4) 布局窗口 YhbZ'SJ  
    图10.默认情况下布局窗口显示
    z>jUR,!GT  
    WZazJ=27}  
    5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: ET_W-  
    − View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 bKj%s@x  
    − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 %@;6^=  
    − 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 iv?gZg   
    图11.调整Z方向和X方向的显示比率 -:Fe7c  
    图12.最终布局显示
    LVc4CE f  
    a^Tm u  
    3. 创建一个MMI耦合器 )'/|)  
    为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: Rp*R:3 C  
    1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 SfJA(v@E  
    2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 zrR`ecC(b  
    '; =f  
    图13 .绘制第一个线性波动
    本主题包含附件,请 登录 后查看, 或者 注册 成为会员
     
    分享到