主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
DNGvpKY@ • 定义MMI耦合器的
材料;
:W b j\ • 定义布局设定;
06jqQ-_`h • 创建一个MMI耦合器;
ss;R8:5 • 插入输入面;
KWLbD# • 运行
模拟;
'SQG>F Uy • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
\u6^Varw f~ }H 1. 定义MMI耦合器的材料
ySI~{YVM 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
pp9Zb.D\ 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
cuOvN"nuNj (O0Urm 图1.初始性能对话框
g{5A4|_7 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
f/CuE%7BR cwGbSW$t 图2.轮廓设计窗口
J\e+}{ 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
9"g6C< @&[T _l 图3.电介质材料创建窗口
Tw + 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
asJ)4ema − Name : Guide
eh"3NRrN − Refractive Index (Re) : 3.3
DxJX+.9K9 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
`^lYw:xA ^MBm==heL 图4.创建Guide材料
:;t
#\%L/ 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
fGmT_C0t − Name : Cladding
eb*#'\~' − Refractive Index (Re) : 3.27
Y!;|ld − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
L~ s3b ZJlEKib%2 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 Rb\6;i8R
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
fxgr`nC − Name : Guide_Channel
&y<ZE − 2D profile definition: Guide
52o x`t| − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
4
B*0M 41fJ%f`
G eI@
q|"U
id$Ul?z8
图6.构建通道
2. 定义布局设定
ngGO0 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
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$MV%F 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
r-h#{==*c − Width:2.8
OQ9x*TmK 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
L<fvKmo(fw − Profile:Channel-Guide
je]}R>[r5 图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
Mg^e3D1_ Un6/e/6, 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
^FnfJ: − Length:5300
s`#(
− Width:60
$-On~u0g 图8.设置晶圆尺寸
*3D%<kVl /Wf^hA
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:
UUMtyf − Material:Cladding
8Dvazg}4 − 点击OK以激活布局窗口
`)QCn< 图9.晶圆材料设置
e${)w-R/e o-o'z'9 4) 布局窗口
Uo-`>7 图10.默认情况下布局窗口显示
JAI)Eqqv] hUm'8)OJ 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:
J+f!Ar − View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
+&["HoKg}& − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示
,6r{VLN − 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
++DG5` 图11.调整Z方向和X方向的显示比率 2}W0
F2*
图12.最终布局显示
bBY^+c< san,|yrMn 3. 创建一个MMI耦合器
Ye.r%i&