摘要 g9|B-1[
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>8Wvz.Nq/ ]y3V^W# 元件内部场分析器:FMM允许用户可视化和研究微
结构和
纳米结构内部的电磁场分布。为此,使用傅立叶模态法/严格耦合波分析(FMM/RCWA)计算周期性结构(透射或反射、电介质或金属)内部的场。还可以指定场的哪一部分应该可视化:正向模式、反向模式或两者同时显示。
Yr@_X =A={Dpv[> 元件内部场分析仪:FMM N]R<EBq
IG0$OtG drP2%u 元件内部场分析器:FMM是
光栅光学装置的独有功能,可提供光栅结构内部电磁场的可视化。
?z% @;& *T"JO| 评估模式的选择 x7K s:lar4>kM %^[45e 为了更容易地区分入射场、反射场和透射场,可以仅评估正向或反向传播模式,或者评估两者的总和。
(__=*ew 3dfG_a61y 评价区域的选择 :bI4HXT3 SQ|pH" 4v9zFJ<Z zIt-mU 元件内部场分析器:FMM可以输出整个元件(包括基板)内部的场,或者只输出一个堆栈或基块(基板)中的场。
F,Y,0f@4U9 A!Zjcp| 不同光栅结构的场分布 Epj h=SQ]nV{ 任意形状的光栅结构可以通过元件内部场分析仪进行分析。以下是几个例子:
r/1:!Vu( x3=W{Fv@4 v'Ce|.; 光栅结构的采样 _a@&$NEox 95Bw;U3E 虽然分析仪为输出数据提供了一些采样选项,但
系统中定义的光栅表面必须正确采样(例如,分解点和过渡点的层数足够)。
Uo v%12 V&vU her0 vpXC5|9U g]85[xz 分解预览展示了如何根据当前采样因子对光栅结构进行采样。
u':-DgK `bu3S}m7 光栅结构的充分采样意味着已经实现了收敛,即进一步增加采样不会显著影响产生的场。例如,如果层分解过于粗糙,则可能会由于纵断面中的大台阶而产生其他影响。
_6" vPN ~R/w~Kc!/A 3Yf%M66t 输出数据的采样:一维周期光栅(Lamellar) T:o!H
Xdj^ <q
hNX$t H
.)}| 对于1D周期性(片状)光栅,分析仪使用对话框“采样”部分中指定的
参数生成2D横截面
图像。
~E-YXl9 a(Ka2;M4J 输出数据的采样:二维周期光栅 '<~rV /_y%b.f^ 当分析的光栅设置为2D Periodic时,Field Inside Component Analyzer:FMM将通过结构生成一系列二元截面,z方向的采样参数决定执行的切割次数。
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