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J=n^&y z:{R4#(Q 元件内部场分析器:FMM允许用户可视化和研究微
结构和
纳米结构内部的电磁场分布。为此,使用傅立叶模态法/严格耦合波分析(FMM/RCWA)计算周期性结构(透射或反射、电介质或金属)内部的场。还可以指定场的哪一部分应该可视化:正向模式、反向模式或两者同时显示。
icK U) O9{A)b!HB 元件内部场分析仪:FMM BTE&7/i21 rmI@ #' HI)U6.' 元件内部场分析器:FMM是
光栅光学装置的独有功能,可提供光栅结构内部电磁场的可视化。
`]Vn[^?D a$6pA@7} 评估模式的选择 kaCn@$ %g4)f9> 6|%HCxWO 为了更容易地区分入射场、反射场和透射场,可以仅评估正向或反向传播模式,或者评估两者的总和。
fK=vLcH gti=GmL(L 评价区域的选择 s: MJ{r(s H{Na'_sL
[@s5v ['0^gN$:e 元件内部场分析器:FMM可以输出整个元件(包括基板)内部的场,或者只输出一个堆栈或基块(基板)中的场。
x1:1Jj: B#4 J![BX 不同光栅结构的场分布 a&R,jq [3W+h1 任意形状的光栅结构可以通过元件内部场分析仪进行分析。以下是几个例子:
Mz6|#P}.s "QY~V{u5 89A04HX 光栅结构的采样 6K9-n}z WF<*rl 虽然分析仪为输出数据提供了一些采样选项,但
系统中定义的光栅表面必须正确采样(例如,分解点和过渡点的层数足够)。
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2f -Or/v 分解预览展示了如何根据当前采样因子对光栅结构进行采样。
.O.fD f<3r;F7 光栅结构的充分采样意味着已经实现了收敛,即进一步增加采样不会显著影响产生的场。例如,如果层分解过于粗糙,则可能会由于纵断面中的大台阶而产生其他影响。
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niM(0p Al]z= 输出数据的采样:一维周期光栅(Lamellar) !E\J`K0_e Xc]Q_70O N;e*eMFE 对于1D周期性(片状)光栅,分析仪使用对话框“采样”部分中指定的
参数生成2D横截面
图像。
O,KlZf_B 8m)E~6 输出数据的采样:二维周期光栅 ;4]l P cGjkx3l* 当分析的光栅设置为2D Periodic时,Field Inside Component Analyzer:FMM将通过结构生成一系列二元截面,z方向的采样参数决定执行的切割次数。
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