. 建模任务 .A7ON1lc^C 1.1
模拟条件
1VPxCB\ 模拟区域:0~10
5BM rn0 边界条件:Periodic
J)^Kls\>t 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
Q/l388' 单位长度:0.5
?2S<D5MSb 6 Znt
xQs._YY 1.2堆栈
结构 WQNFHRfO*n zE=^}K+ 2. 建模过程 U5;Y o+z 2.1设置模拟条件
:w9s bW YZc{\~d
~#:R1~rh\e 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 (7|!%IO. N}\3UHtO !h+VbZ 2.3创建掩膜并生成多畴结构
-pN'r/$3V o[k,{`M0 3. 结果分析 9t{Iv({6p 3.1 指向矢分布和透过率
NvJ}|w,Z u:}yE^8 @ q}p
(p( N 3.2所有畴的V-T曲线
hx!hI1
xU;Q~( !@f!4n.e|I 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
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