. 建模任务 s86Ij>VLf 1.1
模拟条件
Su99A. w 模拟区域:0~10
-ju&"L B 边界条件:Periodic
!, Y1FC 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
/1ZRjf^ 单位长度:0.5
<&:OSd:%
Tg|0!0qD]F lB9 9J"A 1.2堆栈
结构 R7u &` vZ[wr@) 2. 建模过程 Vvk1 D( 2.1设置模拟条件
x5[wF6A
555j@ \^O&){q(9 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 Z _W.iBF *;7~aM 7 lc - 2.3创建掩膜并生成多畴结构
^ Q]I)U cKt=_4Lf 3. 结果分析 j4h6p(w{ 3.1 指向矢分布和透过率
P%w)*); 3Au3>q, A)"?GK{* 3.2所有畴的V-T曲线
hKo& ZWPq J?VMQTa/+ E(]39B"i 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
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