. 建模任务 yTW P1 1.1
模拟条件
VfOm#Ue0 q 模拟区域：0~10
LutP&Ebt8 边界条件：Periodic
Uk=jQfA*J 偏移
角度：12°（Domain A），-12°（Domain B）
4QODuyl2H 单位长度：0.5
!6hUTjhW7z X4LU/f<f
L.XGD|m 1.2堆栈
结构 s^F6sXhyPi Md_S};!QN6 2. 建模过程 ,)3%@MwO 2.1设置模拟条件
Lu!o! >b Y.&nxT95=
A L|F
Bd 2.2创建堆栈结构，修改各层
参数 ?s[ kUv+= LIYj__4=| !L4Vz7 C 2.3创建掩膜并生成多畴结构
m,KG}KX (055>D6 3. 结果分析 <eP`Lu" 3.1 指向矢分布和透过率
$_N Yu ssGp:{]v/ vZ[w r@) 3.2所有畴的V-T曲线
a"gZw9m@ wlk{V
bK:mt `
3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围
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