. 建模任务 qN=l$_UD 1.1
模拟条件
_8z gaA 模拟区域：0~10
#$dEg 边界条件：Periodic
Lu][0 +- 偏移
角度：12°（Domain A），-12°（Domain B）
\jpm
单位长度：0.5
dSP~R ahUc ;S:v#
#Fwf]{J 1.2堆栈
结构 /cXV J(# j .7K<9K +P 2. 建模过程 f(*ygI 2.1设置模拟条件
yQ03&{# p"dK,A5#)
$[6] Ly(F) 2.2创建堆栈结构，修改各层
参数 ll^#I/ dI%#c f1 ~lQ<#*wl 2.3创建掩膜并生成多畴结构
/\wm/Yx?S +EOd9.X\~ 3. 结果分析 3 q ^^Os 3.1 指向矢分布和透过率
+ t
JEG: ,7/F?! G!J 05ZF>`g* 3.2所有畴的V-T曲线
C[JGt 9{Y #wS/QrRE (/[wM>q:r 3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围
+?%L X4Y
