. 建模任务 9Kx:^~}20o 1.1
模拟条件
]`H.qV 模拟区域:0~10
(BQ3M- 边界条件:Periodic
bYB}A: 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
U5$DJ5>8 单位长度:0.5
GJ_)Cl+5E r<N*N,~ j/mp.'P1k 1.2堆栈
结构 K0H!Ds9 v/+}FS= 2. 建模过程 f>/ 1KV 2.1设置模拟条件
2965 7k8 ftuQ"Ds +F&]BZ 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 sq|@9GS0T CvWEXY_P2 pyJOEL]1F 2.3创建掩膜并生成多畴结构
=/!S {^MAdC_ 3. 结果分析 |&']ms5J 3.1 指向矢分布和透过率
?,DbV|3_\ Y]Vc}-a(h E!l1a5qB 3.2所有畴的V-T曲线
PR6uw I/V#[K C HMd )64( 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
<@!kR$Rd