. 建模任务 ;/NC[:'$D 1.1
模拟条件
aF/DFaiYv 模拟区域:0~10
uPho|hDp 边界条件:Periodic
o w(9dB&E 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
Z|KDi
`S 单位长度:0.5
XFTqt] 7r:&%?2:g
/IcGJ&; 1.2堆栈
结构 [PXq<ST }72\Aw5 2. 建模过程 P,zQl; 2.1设置模拟条件
/0>'ZzjV,
XD8Cf!
%4`
U' j 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 +hKU]DP2; m{$+ *Mg@j;+5s 2.3创建掩膜并生成多畴结构
IAbQgBvUD zT}vaU6 3. 结果分析 R68:=E4 3.1 指向矢分布和透过率
f4,|D | t<c7%i#Od An}RD73!w 3.2所有畴的V-T曲线
M_+W5Gz< N,B!D~@ %Un wh1VG 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
a:GM|X