. 建模任务 SJk>Jt= 1.1
模拟条件
(RE2I 模拟区域:0~10
Y/fJQ6DY 边界条件:Periodic
+&5'uAe 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
<??umkV 单位长度:0.5
fPqr6OYz /[=E0_t+
S_b/DO 1.2堆栈
结构 F}Srn;V ;b0NGa(k 2. 建模过程 I4t*? 2.1设置模拟条件
`s"d]/85VW pf&ag#nr
tU@zhGb 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 ^U@~+dw (=u'sn:s }^%xvmQ\] 2.3创建掩膜并生成多畴结构
ZVih =Y-w Y@uh[aS! 3. 结果分析 [
MyE2^ 3.1 指向矢分布和透过率
8)j@aiF` 3n]79+w@z CvDxq:x 3.2所有畴的V-T曲线
=qu(~]2( [f/I2 IG ~`i I 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
vFv3'b$;G