. 建模任务 !r njmc 1.1
模拟条件
qAjtvc2 模拟区域：0~10
Dz }i-tw+ 边界条件：Periodic
digc7;8L 偏移
角度：12°（Domain A），-12°（Domain B）
io#}z4"'qY 单位长度：0.5
Ln>!4i+-B) :60v bO
`J.,dqGb 1.2堆栈
结构 5 ^{~xOM5 =$' >VPQ
2. 建模过程 @O#!W]6NT6 2.1设置模拟条件
{Ze Y:\G~ w'@gzK
*;A ;)' 2.2创建堆栈结构，修改各层
参数 <F9-$_m b <W\#3~G tT]@yo|?e/ 2.3创建掩膜并生成多畴结构
DGvuo 8 rL5=8l 3. 结果分析 r^
r+h[V 3.1 指向矢分布和透过率
+ <bj}" I5"wa:Z \+o \wTW 3.2所有畴的V-T曲线
+ #IUn h#0n2o # SAm%$v z%M 3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围
opa/+V3E4
