. 建模任务 xNRMI!yv
1.1
模拟条件
k2#|^N 模拟区域:0~10
SC3_S. 边界条件:Periodic
UQP>yuSx 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
ZP0D)@8 单位长度:0.5
q}z`Z/`/ X<v1ES$
r&F
6ZCw 1.2堆栈
结构 9.9B#? 4l>d^L 2. 建模过程 ~g@}A 2.1设置模拟条件
5Z:qU{[ m G+=0Rn^
NE Zu?g 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 #D ]CuSi oDt{;S8|] {#pwr WG 2.3创建掩膜并生成多畴结构
*q[;-E(fZ# &xt
GabNk 3. 结果分析 pWH,nn?w. 3.1 指向矢分布和透过率
]9W7]$ rJRg4Rog `9T5Dem|# 3.2所有畴的V-T曲线
/wP2Wnq$ & Yx12B\ 8 0o'=E}" 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
$(*>]PC+)