. 建模任务 #V@[<S2 1.1
模拟条件
v#TU7v?~ 模拟区域:0~10
f-^JI*hj 边界条件:Periodic
13kl\<6 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
)m|)cLT& 单位长度:0.5
^8OK.iC
tw,uV)xm ]@0C1r 1.2堆栈
结构 =A{F&:+a] *jM]:GpyoU 2. 建模过程 OQ&l/|{O0? 2.1设置模拟条件
kZ$2Uss
qx|~H'UuBN \I( g70 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数
Z/RSZ- !cW6dc^ 5<YV`T{5Kl 2.3创建掩膜并生成多畴结构
%g: 6QS| fS?}(7 3. 结果分析 }20~5! 3.1 指向矢分布和透过率
1
8%+ Hy= l|v`B6( WUrE1%u 3.2所有畴的V-T曲线
Lcb5^e?'Q Q`kV|
pjg $t0o*i{ 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
XlLG/N