. 建模任务 A>puk2 s 1.1
模拟条件
(6{
VMQ 模拟区域：0~10
B" v=Fr[ 边界条件：Periodic
p3' +"sFU 偏移
角度：12°（Domain A），-12°（Domain B）
_T$\$v$ { 单位长度：0.5
k~ ue^^r} %Z4=3?5B"9
3F1Z $d( 1.2堆栈
结构 %*nZ,r }^q#0`e(y 2. 建模过程 0*^Fk=>ej 2.1设置模拟条件
:83" t-O8[ cw\a,>]H
pxj"<q`nw8 2.2创建堆栈结构，修改各层
参数 X c^~|%+ .w~USJ=X 8Yh2K} 2.3创建掩膜并生成多畴结构
T2{+fR v N %Y TIS*+0 3. 结果分析 9D,& )6 3.1 指向矢分布和透过率
hj4Rr(T b}:Z(L,\ |=POV]K 3.2所有畴的V-T曲线
./d ( @@ >. Y ~F( ]!N 5jbA@ 3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围
@w0[5ZA j
