. 建模任务 ?@U7tNI 1.1
模拟条件
usb.cE3z 模拟区域:0~10
$vNz^!zgV 边界条件:Periodic
=VMV^[&> 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
d'~sy> 单位长度:0.5
3V]B|^S ,f`435R
Nf0'>`/ 1.2堆栈
结构 _qg)^M 6 vkdU6CZO 2. 建模过程 !r:X`~\a 2.1设置模拟条件
x!klnpGp __p\`3(,'
]C|Zs=5 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 uJz<:/rwZ- N zY}-:{ d52l)8 2.3创建掩膜并生成多畴结构
% AqUVt9} D9H(kk
3. 结果分析 +NGjDa 3.1 指向矢分布和透过率
Nz`4q%+ d,}fp) y5_`<lFv 3.2所有畴的V-T曲线
vn"2"hPF| ~~[Sz#( K ~"J<798{ 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
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