. 建模任务 [g_f`ZJ= 1.1
模拟条件
]W-:-.prh 模拟区域：0~10
C!RxMccTh 边界条件：Periodic
T4o}5sq}S 偏移
角度：12°（Domain A），-12°（Domain B）
YX!%R]c% 单位长度：0.5
V A4_>6 (Dq3e9fX
_@jl9<t=_ 1.2堆栈
结构 !u>29VN i nF&Pv 2. 建模过程 ,R ]]]7)+ 2.1设置模拟条件
MDl yhgHwES"
5pE[}@-c9 2.2创建堆栈结构，修改各层
参数 m:II<tv y {U' \ !)_80O1 2.3创建掩膜并生成多畴结构
C&Ow*~ 6hAeLl U1 3. 结果分析 {$oZR" MP 3.1 指向矢分布和透过率
byyz\>yAVq BLuILE:$ m"X0Owx 3.2所有畴的V-T曲线
?f CLiK u <D&R T 6>SP5|GG 3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围
-Ufd+(
