. 建模任务 =aQlT*n%3 1.1
模拟条件
9ghUiBPiL: 模拟区域：0~10
+t* I{X( 边界条件：Periodic
-Jv3D$f]a 偏移
角度：12°（Domain A），-12°（Domain B）
dT&u}o3X 单位长度：0.5
@*L-lx .}eM" Kv
ToKG;Ff 4b 1.2堆栈
结构 D+
.vg?8 1ljcbD)T; 2. 建模过程 }#M>CNi'PU 2.1设置模拟条件
@c"s6h& {*g{9`
]oz >/\! 2.2创建堆栈结构，修改各层
参数 @].!}tz `'P&={p8 3}3b@: < 2.3创建掩膜并生成多畴结构
sK9RViqF\ D%?9[Qb 3. 结果分析 /pU`- 3.1 指向矢分布和透过率
nQ|($V1?W 2*cc26o Unq~lt%2 3.2所有畴的V-T曲线
I` j G x QzW6H| Y}q~ Km 3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围
S= `$w
