. 建模任务 c/=\YeR 1.1
模拟条件
Qs?p)3qp 模拟区域:0~10
b7">IzAe
边界条件:Periodic
+VJyGbOcC 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
ynf!1!4 单位长度:0.5
m?1r@!/y
[ \%a7ji# 0-uVmlk=/ 1.2堆栈
结构 jK%Lewq meXwmO 2. 建模过程 sPl3JP&s 2.1设置模拟条件
x8C
*
*.VNyay 91nB?8ZE6, 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 s$lJJL ,|;\)tT d+5v[x~' 2.3创建掩膜并生成多畴结构
Z.rhM[*+0C 5`lVC$cP 3. 结果分析 k9NHdi7&2 3.1 指向矢分布和透过率
W&[-QM8 [@3.dd i=hA. y` 3.2所有畴的V-T曲线
K( ?p]wh p;D
{?H/ S!^I<#d K 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
PCa0I^d