. 建模任务 eq4Yc*|9 1.1
模拟条件
^4
~ V/ 模拟区域:0~10
rUBc5@| 边界条件:Periodic
z4s{a(Tsd 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
aB~=WWLR\ 单位长度:0.5
(+.R8
+Y440Tz Dp;6CGYl? 1.2堆栈
结构 B"Ttr+ k mX:~KMb 2. 建模过程 CQET 2.1设置模拟条件
&BRi& &f
'+\.&'A q4KYC!b 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 ]= 9^wS ()EiBl(kWk KqWt4{\8v` 2.3创建掩膜并生成多畴结构
6$\'dkufQ j<-YK4.t 3. 结果分析 -h#9sl-> 3.1 指向矢分布和透过率
f>ilk Q` pa6-3c =U3rOYbP; 3.2所有畴的V-T曲线
JrwR:_+| Bpdx]5qfK
pytF
K)U 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
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