镀膜工艺:1.AL2O3+H4+AL2O3+H4+AL2O3+H4+MGF2(高温镀膜:320度,无IAD,有这种现状)
;M~9Yr=1 2.SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2(高温镀膜:120度,IAD,有这种现状)
',/# | bR,Es~n Y=?{TX=6<[ Y% JE}) g/}d> 6 v|KIVBkbT 镀膜要求:440-660nmRabs<0.3% AOI:5°
vG7Mk8mIr 镀膜下机确认无这种现象,放置24H后,表面开始吸附东西。