镀膜工艺:1.AL2O3+H4+AL2O3+H4+AL2O3+H4+MGF2(高温镀膜:320度,无IAD,有这种现状) (_AU)
2.SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2(高温镀膜:120度,IAD,有这种现状) \+"Jg/)ij
m -0}Pe9L
9Zr6 KA{
x"A\Z-xxz
KQ ^E\,@o
4lI&y<F
镀膜要求:440-660nmRabs<0.3% AOI:5° NR"C@3kD]o
镀膜下机确认无这种现象,放置24H后,表面开始吸附东西。