镀膜工艺:1.AL2O3+H4+AL2O3+H4+AL2O3+H4+MGF2(高温镀膜:320度,无IAD,有这种现状)
tvGg@Xs\ 2.SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2(高温镀膜:120度,IAD,有这种现状)
`8.1&fBr c8H9_6
"v*oga% -9hp+0 <
|k/`WC6As. oSpi{ $x 镀膜要求:440-660nmRabs<0.3% AOI:5°
B4PW4>GF
镀膜下机确认无这种现象,放置24H后,表面开始吸附东西。