镀膜工艺:1.AL2O3+H4+AL2O3+H4+AL2O3+H4+MGF2(高温镀膜:320度,无IAD,有这种现状)
T.R>xd`9
" 2.SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2(高温镀膜:120度,IAD,有这种现状)
YoV^xl6g ]|C_`,ux
VeNNsg>& Xa{~a3Wy
pjX%LsX\ 1kvPiV=X> 镀膜要求:440-660nmRabs<0.3% AOI:5°
nJldz; 镀膜下机确认无这种现象,放置24H后,表面开始吸附东西。