镀膜工艺:1.AL2O3+H4+AL2O3+H4+AL2O3+H4+MGF2(高温镀膜:320度,无IAD,有这种现状)
S9Sgd&a9 2.SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2(高温镀膜:120度,IAD,有这种现状)
p^8a<e?f~f :i<*~0r<
[#Qf#T%5h 3&y-xZ u]
u+j\PWOtm Rf!v{\ 镀膜要求:440-660nmRabs<0.3% AOI:5°
jfMkN 镀膜下机确认无这种现象,放置24H后,表面开始吸附东西。