镀膜工艺:1.AL2O3+H4+AL2O3+H4+AL2O3+H4+MGF2(高温镀膜:320度,无IAD,有这种现状)
C QO gR GW 2.SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2(高温镀膜:120度,IAD,有这种现状)
"9mJ$us lW}"6@0, WPLM*]6 $#E?`At{I jF4h/((|EU 29#&q`J 镀膜要求:440-660nmRabs<0.3% AOI:5°
XoI,m8A 镀膜下机确认无这种现象,放置24H后,表面开始吸附东西。