切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 712阅读
    • 0回复

    [技术]OptiBPM:创建一个简单的多模干涉(MMI)耦合器 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线infotek
     
    发帖
    6663
    光币
    27464
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2023-08-31
    主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: XcW3IO  
    • 定义MMI耦合器的材料 t`/RcAwA  
    • 定义布局设定; {`SGB;ho  
    • 创建一个MMI耦合器; K LM^O$=  
    • 插入输入面; 4rCqN.J  
    • 运行模拟 >5Rw~  
    • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 5nlyb,"^g  
    G7#~=W 2M  
    1. 定义MMI耦合器的材料 Pn){xfqDl  
    为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: !haXO  
    1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ ^.aEKr  
    dJgOfg^  
    图1.初始性能对话框
    5^R#e(mr  
    2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” vVRCM  
    9n2%7dLQ*  
    图2.轮廓设计窗口
    jfhDi6N  
    3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 |zegnq~  
    UVi/Be#|  
    %y~]3XWik  
    图3.电介质材料创建窗口
    ^ C#bW <T  
    4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: Bc` A]U  
    − Name : Guide g{.@|;d <p  
    − Refractive Index (Re) : 3.3 P bC>v  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 m(Xr5hw:6  
    s.Ic3ITd,  
    图4.创建Guide材料
    *" +cP!  
    5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:  l3 Bc g  
    − Name : Cladding "U~@o4u;  
    − Refractive Index (Re) : 3.27 >TVd*S  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 WUQh[A41  
    H_^u_ %:e  
          
    图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 Hm[!R:HW,S  
    6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: `'t;BXedz/  
    − Name : Guide_Channel [WSIC *|;  
    − 2D profile definition: Guide gG?*Fi  
    − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 G(,~{N||  
    X Ow^"=Oa[  
    图6.构建通道
    2. 定义布局设定 b-gVRf#F  
    为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: 4E94W,1%,Y  
    1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 n]g,)m  
    − Width:2.8 y^fU_L?p  
    注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 X64I~*  
    − Profile:Channel-Guide HBYpjxh  
    图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
    Jm^jz  
    Z1}zf( JU  
    2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: AMiFsgBj  
    − Length:5300 |1 6v4 R  
    − Width:60 !S}Au Mw  
    图8.设置晶圆尺寸
    ph+tk5k  
    +F6_P  
    3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: #.xTAvD  
    − Material:Cladding CzbNG^+  
    − 点击OK以激活布局窗口 C\h<02  
    图9.晶圆材料设置
    j ZafwBi  
    'Z9F0l"Nr  
    4) 布局窗口 f.CI.aozW  
    图10.默认情况下布局窗口显示
    <08V-   
    U Bg_b?k  
    5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: 6XU5T5+P^  
    − View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 LxDhthZi_  
    − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 \C.@ @4{  
    − 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 @=1``z#  
    图11.调整Z方向和X方向的显示比率 ':dHYvP/UX  
    图12.最终布局显示
    p-Btbhv  
    xz'd5 re%  
    3. 创建一个MMI耦合器 BS.6d}G4  
    为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: |`/uS;O  
    1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 q,Q|Uvpk  
    2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 ZJm^znpw6  
    图13 .绘制第一个线性波动
    I'YotV7  
    1r4/McB  
    ~(S4/d5  
     
    分享到