主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: ;j=1 oW • 定义MMI耦合器的材料; sYpogFfV • 定义布局设定; ;"Y6&YP< • 创建一个MMI耦合器; 7%"7Rb^@ • 插入输入面; R{_IrYk • 运行模拟; rRYf.~UH@P • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 /3]|B%W9 :(Bi{cw 1. 定义MMI耦合器的材料 L ]c9 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: &v,p_'k 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ ?miM15XI [<QWTMjR 图1.初始性能对话框
\<**SSN 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” tpONSRY hm>*eJNp] 图2.轮廓设计窗口
(+dRD]|T 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 u7WM6X
PBtU4) bq-\'h
f< 图3.电介质材料创建窗口
&Q>'U6"% 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: rJp6d :M
− Name : Guide "%*lE0Tx − Refractive Index (Re) : 3.3 GK?R76d − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 mX@*2I yX3H&F6 图4.创建Guide材料
'hw@l>1\9 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: k^c=y<I − Name : Cladding -Jo :+]. − Refractive Index (Re) : 3.27 j%jd@z ]@ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ^jjJM| a A>%UYA 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 (!5}" fj
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: KGmc*Jwy − Name : Guide_Channel vr;Br-8 − 2D profile definition: Guide ugCS & − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 u;ooDIq@ tO>OD# 图6.构建通道
2. 定义布局设定 'oZn<c`
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: >ydb?
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 A2:){`Mw
− Width:2.8 |\n)<r_
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 3r:)\E+Q_
− Profile:Channel-Guide U"y'Kd
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
R5&$h$[/
k-cIb@+"
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: q\'P1~
− Length:5300 9#T%bB"J
− Width:60 ciGpluQF
图8.设置晶圆尺寸
j)tCr Py
>+jbMAYSq
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: +V);'"L
− Material:Cladding AK
s39U'
− 点击OK以激活布局窗口 *JY`.t
图9.晶圆材料设置
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g t^]32$
4) 布局窗口 Y =g>r]2
图10.默认情况下布局窗口显示
@>#{WI:"~
F;Q_*0mIQ
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: 0qL
V(L
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 '/u:,ar
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 eC^0I78x
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 [Zt#
c C+
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 I`"-$99|t1
图12.最终布局显示
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jV4hxuc$
3. 创建一个MMI耦合器 RQo$iISwy
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: yxG:\y
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1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 Z[})40[M
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 +24|_Lx0
图13 .绘制第一个线性波动
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Y/^[qD
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