主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: 1hlU
6=Y • 定义MMI耦合器的材料; eX>*}pI • 定义布局设定; q2r$j\L% • 创建一个MMI耦合器; yoJ.[M4q • 插入输入面; ZDAW>H< • 运行模拟; }zS5o
[OE • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 kMK0|+ *`|xa@1v` 1. 定义MMI耦合器的材料 /Wcx%P 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: O) TS$ 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ z;dRzwL $qr6LIKGw 图1.初始性能对话框
=E>P,"D 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” Y8^WuN$ }vh4ix 图2.轮廓设计窗口
n1b:Bv4"]# 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 AC'_#nPL#
>d=pl}-kOQ
mhX66R 图3.电介质材料创建窗口
52 Qr 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: 122s7A − Name : Guide 4Ngp - − Refractive Index (Re) : 3.3 qrp@ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ^H7xFd|> `'^o45 图4.创建Guide材料
2IE\O8b 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: nT}Wx/aT − Name : Cladding me{u~9& − Refractive Index (Re) : 3.27 uoOUgNwGg − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ,Pcg+^A +&S6se4 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 [>r0
(x&.
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: uDXV@;6< − Name : Guide_Channel 4bp})>}jB − 2D profile definition: Guide oQ,<Yx%E3 − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 >$9}" 'Etq;^H 图6.构建通道
2. 定义布局设定 b=xn(HE8|
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: KK #E
qJ
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 DpvHIE:W
− Width:2.8 &Jb\}c}
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 @y~kQ5k
− Profile:Channel-Guide "f_qG2A{
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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>;hAw!|#
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: CYQ)'v
− Length:5300 Dol{y=(3e
− Width:60 {ri={p]l
图8.设置晶圆尺寸
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7'9
{4,],0bjx/
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: wiZ
− Material:Cladding pvsa?z;rP
− 点击OK以激活布局窗口 prN+{N8YC
图9.晶圆材料设置
fV5$[CL1
D?"P\b[/
4) 布局窗口 x51R:x(p
图10.默认情况下布局窗口显示
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M @-:iP
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: WEe7\bWF
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 cPuXye
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 eBnx$
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 rG6G~|mS
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 _Iav2=0Wi
图12.最终布局显示
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1J/'R37lP
3. 创建一个MMI耦合器 e
}?.3,?
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: I2}eFz&FE
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 "QNQ00[T`>
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 g,EDE6`8
图13 .绘制第一个线性波动
F[Mwd &P@
CAC4A
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