主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: ojU:RRr4l$ • 定义MMI耦合器的材料; /uS(Z-@ • 定义布局设定; CwZ+Pn0 • 创建一个MMI耦合器; /KjRB_5~q} • 插入输入面; jm0J)Z_"nr • 运行模拟; i71, • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 (iM"ug2 WL$Ee= 1. 定义MMI耦合器的材料 {.pR$]6B"+ 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: ,L%\{bp5 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ S453oG" Wm$(b2t 图1.初始性能对话框
8Kt_irD 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” {Ak{
ct\t 6*cG>I.Z 图2.轮廓设计窗口
l{F^"_U 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 sc'QNhrW
u,e'5,`N Yn4c6K 图3.电介质材料创建窗口
T`KH7y|bv 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: FVM:%S
JjT − Name : Guide 2-5AKm@K − Refractive Index (Re) : 3.3 yPrp:%PS − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 uH[d%y/ 7|LJwXQ- 图4.创建Guide材料
D,%R[F?5O 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: JF!?i6V − Name : Cladding R2WEPMH% − Refractive Index (Re) : 3.27 }MAQhXI^O| − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 rOQhS]TP* 48dIh\TH" 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 wJ@8-H 8}
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: J.Mj76\_ − Name : Guide_Channel Bv_C *vW − 2D profile definition: Guide 9XWHr/-_@ − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 CY;ML6c@ l<5O\?Vo] 图6.构建通道
2. 定义布局设定 #R$d6N[H
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: 08AC9
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 "]J4 BZD
− Width:2.8 le*mr0a
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 W$LaXytmak
− Profile:Channel-Guide Cc*"cQe
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
s\QhCS
RN\4y{@
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: fD+'{ivN4
− Length:5300 2GOQ| Z
− Width:60 TxAT ))
图8.设置晶圆尺寸
'W>Bz,M6yo
Nf8."EDUW
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: TP'
− Material:Cladding :q=u+h_
− 点击OK以激活布局窗口 (\m4o
图9.晶圆材料设置
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l'=H,8LfA
4) 布局窗口 eq.K77El{J
图10.默认情况下布局窗口显示
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(7BG~T
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: S|!)_RL
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 f!hQ"1[
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 owL>w
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 WccTR
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图11.调整Z方向和X方向的显示比率 {a`t1oX(
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 H_)\:gTG
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: vmdu9"H
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 @
hH;d\W#
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 gTWl];xja
图13 .绘制第一个线性波动
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