主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: u8Ak2:
• 定义MMI耦合器的材料; e%_J
O7 • 定义布局设定; GTuxMg` • 创建一个MMI耦合器; Q&]f9j_ • 插入输入面; z; Jz^m- • 运行模拟; G$mAyK: • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 W\Df:P {< L.?QZN%cN 1. 定义MMI耦合器的材料 B&L-Lc2 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: cXod43 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ F87/p ItD&L
)) 图1.初始性能对话框
^V7'S< 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” z3Zo64V~7 g^:
&Dh 图2.轮廓设计窗口
zvbO
q 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 Mj6
0?k
mgE
r+ %WF]mF T_ 图3.电介质材料创建窗口
G
_-JR 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: B",;z)(% − Name : Guide 6o
d^+>U − Refractive Index (Re) : 3.3 ("KtJ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 <&RpGAk%I ey@ccc*sZ9 图4.创建Guide材料
Ef$a&*)PH 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: \IaUsx"#o{ − Name : Cladding ;-AC}jG − Refractive Index (Re) : 3.27 9? y&/D5O − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 UR~ s\m 3O*^[$vM 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 wZfY~
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: +"1fr
− Name : Guide_Channel p1UYkmx[ − 2D profile definition: Guide 3 <)+)n − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 zfw=U
\ AO238RC!: 图6.构建通道
2. 定义布局设定 k8c(|/7d
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: F0kdwN4;
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 Lpohc4d[V
− Width:2.8 FsLd&$?T&
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 K7R!E,oPg
− Profile:Channel-Guide mw&'@M_(7
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
U"RA*|
fjCFJ_
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: A0,h7<i
− Length:5300 ,bzC|AK
− Width:60 3rBID
图8.设置晶圆尺寸
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6 2#@Y-5
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: xXlx}C
− Material:Cladding K@%gvLa\
− 点击OK以激活布局窗口 fV2w &:^3
图9.晶圆材料设置
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4) 布局窗口 ,xg-H6Xfa{
图10.默认情况下布局窗口显示
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+
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5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: &NOCRabc
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 V?)YQB
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 jx{
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− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 b;FaTm@
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 n-g#nEc:
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 "~S2XcR[ E
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: BiDyr
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 #&ei
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 \H&;.??W
图13 .绘制第一个线性波动
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