主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: \){_\{& • 定义MMI耦合器的材料; #xq3)B • 定义布局设定; _/"e'@z • 创建一个MMI耦合器; y |i(~ • 插入输入面; m- a': • 运行模拟; I+ 3qu= • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 WnU2.: ueg%D+u 1. 定义MMI耦合器的材料 8G2QI4 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: YMy** 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
f:y:: z f`K#=_Kq7 图1.初始性能对话框
L>&{<M_ 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” ZsCwNZR wDSwcNS 图2.轮廓设计窗口
68w~I7D> 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 Vq/hk
9~2iA,xs 1(*+_TvZ 图3.电介质材料创建窗口
[Jjo H1E@ 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: pHye8v4fvi − Name : Guide nv7)X2jja − Refractive Index (Re) : 3.3 h,-i\8gq − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 :8hX kQ R?,v:S&i7; 图4.创建Guide材料
;Xqi;EA 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: k_Sm ep − Name : Cladding "vkM*HP − Refractive Index (Re) : 3.27 I>w|80%% − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 0LP0q9S:9 ??|,wIRz 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 ?5;wPDsK
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: WP Gp(Xw − Name : Guide_Channel p%X.$0 − 2D profile definition: Guide Tc>g+eS − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 C
OL"/3r 0r[a$p>` 图6.构建通道
2. 定义布局设定 0"N4WH O
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: 1W-kZ(e
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 D8xE"6T>
− Width:2.8 Q,tjODc6n
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 s<:);-tL
− Profile:Channel-Guide !}c\u
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
x%T^:R
0R0_UvsXU
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: kp!(e0n
− Length:5300 \{Je!#
− Width:60 /xr75|-8
图8.设置晶圆尺寸
_5b~3K/V
7fd,I% v
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: hYA1N&yz@
− Material:Cladding cg_tJ^vrY
− 点击OK以激活布局窗口 v}z^M_eFm
图9.晶圆材料设置
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U[q3 9FR
4) 布局窗口 u@+^lRGFh
图10.默认情况下布局窗口显示
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U+(qfa5(
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: *IF~ab2
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 *+2BZZwT
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 '!4\H"t
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 !+YSc&R_fW
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 hh.`Yu L
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 !wKNYe
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: OMab!
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 ]D^; Ca
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 v0;dk(
图13 .绘制第一个线性波动
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