主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: XLog+F$` • 定义MMI耦合器的材料; Pjs
L{, • 定义布局设定; :`pgdn • 创建一个MMI耦合器; 8lI'[Y?3. • 插入输入面; Sk~( t • 运行模拟; ([mC!d@a • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 WOv m%sX B
66-l!xa 1. 定义MMI耦合器的材料 9kpCn.rJ 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: ,?'":T1[ 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ 4Jf6uhaE >~nc7j
u 图1.初始性能对话框
I6q]bQ=" 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” ,%bG]5 [m}58?0~x 图2.轮廓设计窗口
%, U@ D4w 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 Tlz $LI
VGHy|5K$ ?3I93Bt7 图3.电介质材料创建窗口
3I" <\M4x 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: X-Yy1"6m1 − Name : Guide b?=>)':f − Refractive Index (Re) : 3.3 g[#4`Q<. − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 Q>G lA
2tEA8F~k 图4.创建Guide材料
JdP[
cN 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: AUan^Om − Name : Cladding H.n+CR − Refractive Index (Re) : 3.27 5bfd8C − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 zUe)f~4 N?RJuDW 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 T!iRg=<bz
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: M)<4|x − Name : Guide_Channel >z,SN − 2D profile definition: Guide A#WvN> − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 k~YZT 8 jn+M L& 图6.构建通道
2. 定义布局设定 _YT9zG
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: [i
]
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 A3!xYG=+
− Width:2.8 Wg V'T#*
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 #VLO6
− Profile:Channel-Guide ITq$8
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
-kv'C6gB
&ND8^lR=Y;
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: 5@:c6(5$
− Length:5300 " iKX-VIl
− Width:60 x'uxSeH$
图8.设置晶圆尺寸
w`77E=
#Q6.r.3@x
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: #wvmVB. 5~
− Material:Cladding PGj?`y4
− 点击OK以激活布局窗口 *1>zE>nlP
图9.晶圆材料设置
C4`u3S
/.[;u1z"^
4) 布局窗口 6{qI
图10.默认情况下布局窗口显示
9uRs@]i
o|FY-+
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: clcj5=:
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 !R`)S7!
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 1\~-No
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 9T#JlV
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 \N?,6;%xB
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 3 E~d
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: )Q!3p={S*
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 I|{A&G}|q
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 h
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图13 .绘制第一个线性波动
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