主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: /LG}nY • 定义MMI耦合器的材料; bDq<]h_7 • 定义布局设定; Dp?lgw • 创建一个MMI耦合器; Dt'bbX'edw • 插入输入面; D*g
K, ` • 运行模拟; u/J1Z>0 • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 H2yPVJ\Y)" U(hIT9 1. 定义MMI耦合器的材料
zw0u|q;# 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: xN!In-v[j; 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ zOYG`:/' MKX58y{+ 图1.初始性能对话框
7MhaLkB_6 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” SgQ(#y|vV QvlVjDIy 图2.轮廓设计窗口
{v2[x W 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 sl)]yCD|5
/lc4oXG8 X#ud_+6x 图3.电介质材料创建窗口
D@m3bsMwe 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: b{.Y?.U − Name : Guide jPs{Mr< − Refractive Index (Re) : 3.3 u&e?3qKX( − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 |W5lhx0U 9T<k|b[6 图4.创建Guide材料
_TbvQY 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: }D!o=Mg^ − Name : Cladding O:#/To' − Refractive Index (Re) : 3.27 [f]:hJi − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ;b 'L2 *56q4\1 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 /mK]O7O7
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: )!'7!" $ − Name : Guide_Channel ov1#BeQ − 2D profile definition: Guide BuOe'$F
0t − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 1+xi1w}3a b:$q5 图6.构建通道
2. 定义布局设定 e4;h*IQK
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: w]US-7
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 %z-n2%
− Width:2.8 -#r=
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 e+y%M
− Profile:Channel-Guide N"zl7 .E
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: ogoEtKi
− Length:5300 fH%C&xj'&
− Width:60 Lv
*USN
图8.设置晶圆尺寸
/$j,p E=
(Vt5@25JW
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: \+<=O`
− Material:Cladding 3w+ +F@(
− 点击OK以激活布局窗口 DK|/|C}6
图9.晶圆材料设置
iAXF;'|W
eH%i8a
4) 布局窗口 |wuN`;gc"
图10.默认情况下布局窗口显示
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wIF)(t-):
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: U :8cz=#
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 m[Qr>= "
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 b6'ZVB
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 DO~~
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 y .a)M?3
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 E>F6!qYm
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: R[H#av
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 ?]>;Wr
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 ^j<2s"S
图13 .绘制第一个线性波动
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