主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器，主要步骤如下： Aen)r@Y: • 定义MMI耦合器的材料； \K+LK a) • 定义布局设定； DGMvYNKTj • 创建一个MMI耦合器； $~xY6"_}!! • 插入输入面； Z !Njfq5 • 运行模拟； ^lCys • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 6$qn'K$ \8%64ZL` 1. 定义MMI耦合器的材料 -I 7"9}j3 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作： a $pxt!6 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“ L 0?-W%$> 4-@D` ,3L 图1.初始性能对话框
|tC`rzo 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）” `<>Emc8Z ` V}e $ 图2.轮廓设计窗口
`a}!t=~#w 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口 s fSM7f
x3 5(i |A".Mo_5 图3.电介质材料创建窗口
e;:~@cB,c 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料： 1{B^RR. − Name : Guide ZOGH.` − Refractive Index (Re) : 3.3 SV;S`\ i − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 XJl2_# {8Jr.&Y2 图4.创建Guide材料
x/Pi#X m 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料： CN6@g^)P − Name : Cladding V_JM@VN}Kk − Refractive Index (Re) : 3.27 LyM" − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 qP< wf=wY HMbF#!E 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 OHixOI$O
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道： A+d&aE }3V − Name ： Guide_Channel eIjn~2^ − 2D profile definition: Guide iOI8'`mk − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口 1A;>@4iC0 Gj]*_"T 图6.构建通道
2. 定义布局设定 FBpf_=(_1
为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作： vz VXRX
1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签 $ qk2!
− Width：2.8 .b*%c?e
注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 n!5 :I#B
− Profile：Channel-Guide F+ r3~T%
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签： ep a)~/sA
− Length：5300 <`8l8cL
− Width：60 Wh4`Iv\.
图8.设置晶圆尺寸
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a= 3?hVpB
3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签： I_s4Pf[l
− Material：Cladding AZ~= ]1
− 点击OK以激活布局窗口 {Muw4DV
图9.晶圆材料设置
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4) 布局窗口 uY+N163i
图10.默认情况下布局窗口显示
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5) 调整显示比率，以便更好进行波导结构布局设置： s,Uc cA@
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 ^W-03
− Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示 KF&1Y>t=
− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示 J R='c)6:
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 wmh[yYWc
图12.最终布局显示
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S'"( zc3 =
3. 创建一个MMI耦合器 7XLz Ewa
为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作： 5yO %| )
1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导 QF 2Eg
2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导 sr(f 9Vl
图13 .绘制第一个线性波动
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