主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: M d8(P23hS • 定义MMI耦合器的材料; e+F$fQt> • 定义布局设定; *wY+yoj • 创建一个MMI耦合器; VH<d[Mj • 插入输入面; >d &0a: • 运行模拟; oylQCbT • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 |=0w_)Fa] "I:* 1. 定义MMI耦合器的材料 ')~V=F 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: 6({)O1Z 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ hN~H8.g Q4L=]qc T 图1.初始性能对话框
jDTG15_= 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” %3"3V1 8_G6X\q}; 图2.轮廓设计窗口
3e47UquZ 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 rXT? w]4
nM:<l}~v{ zPybPE8 图3.电介质材料创建窗口
0Z]HH+Z; 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: oNw=O>v − Name : Guide {r$Ewc$Yb7 − Refractive Index (Re) : 3.3 @1&"S7@}u − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 vnVT0)Lel [7~AWZU3 图4.创建Guide材料
~x/ka43 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: F[%k;aJ − Name : Cladding ^b`-zFL7 − Refractive Index (Re) : 3.27 Ayg^<)JWh − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 6__!M ,%N[FZ`| 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 T?d}IDv1
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: 7B\NP`l − Name : Guide_Channel _h \L6. − 2D profile definition: Guide E@xrn+L>- − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
Y/I)ECm <)~-] 图6.构建通道
2. 定义布局设定 ABe25Sus
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: -P|claO0
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 GH-Fqz
− Width:2.8 ::#[lw
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 3imsIBr
− Profile:Channel-Guide X0^@E
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
hLuv
~&RrlF h
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: D84&=EpVZ
− Length:5300 PMbZv%.,-
− Width:60 *P7/ry^<F
图8.设置晶圆尺寸
}i^|.VZZ
,<#Rk'y$
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: 0(f+a_2^Q
− Material:Cladding g~.#.S ds
− 点击OK以激活布局窗口 C,eP!_O
图9.晶圆材料设置
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P/1YN
4) 布局窗口 `JiWS
图10.默认情况下布局窗口显示
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EwV$2AK
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: j|Vl\Z&o)
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 bsU$$;
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 %}zkmEY.e
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 I2i'
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 |T/OOIA=sI
图12.最终布局显示
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Wj|W B*B
3. 创建一个MMI耦合器 >]ux3F3\
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: v .C
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 \C>IVz<O
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
A~nqSe
图13 .绘制第一个线性波动
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