主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器，主要步骤如下： Qvg"5_26v • 定义MMI耦合器的材料； `r bqYU0 • 定义布局设定； ! [C $H5 • 创建一个MMI耦合器； OmuZ 0@ . • 插入输入面； ,TA [el%# • 运行模拟； H<Taf%J T • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 &\br_ %* ;
8m' 1. 定义MMI耦合器的材料 3@bjIX`=H 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作： s+~Slgl 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“ 90v18k h>Pg:*N,( 图1.初始性能对话框
cCCplL 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）” r1? FH2Ns vrDRSc6_ 图2.轮廓设计窗口
q%&7J< 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口 oeKc-[r
DfF PGFv Q 8E~hgO 图3.电介质材料创建窗口
&;3z 1s/ 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料： vw6FvE`lC − Name : Guide UAO#$o( − Refractive Index (Re) : 3.3 [ \F ,\ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 *<j @+Ch U.0/r!po 图4.创建Guide材料
*0zH5c 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料： 4># ^Pk?Ra − Name : Cladding D/`E!6Fk= − Refractive Index (Re) : 3.27 Qeog$g.HI − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 (}8 ;3pp 3]'z8i({7Y 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 Ol0|)0
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道： Z9^ $jw] − Name ： Guide_Channel [SvwJ IJJ − 2D profile definition: Guide EKD >c$T^ − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口 YTit=4| O{R5<"g 图6.构建通道
2. 定义布局设定 N^N?!I
为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作： k| o,gcU
1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签 f}!26 [_9{
− Width：2.8 Q7 %#3ML
注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 ;~;St>?\R\
− Profile：Channel-Guide hj1 jY
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签： qZ }XjL
− Length：5300 TZ2f-KI
− Width：60 N9<eU!4>
图8.设置晶圆尺寸
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3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签： E9hWn0 e
− Material：Cladding r&DK> H
− 点击OK以激活布局窗口 +rY0/T_0,
图9.晶圆材料设置
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4) 布局窗口 X>>rvlD N
图10.默认情况下布局窗口显示
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5) 调整显示比率，以便更好进行波导结构布局设置： 9@B+$~:}7
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 }VRo: sJb
− Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示 e8 .bH#
− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示 2ZeL
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 )O
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图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 )Cl&"bX
为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作： 0]~n8m B>
1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导 `-\ "p;Hp0
2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导 s#[Ej&2[=
图13 .绘制第一个线性波动
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