主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器，主要步骤如下： %,\=s.~ 1 • 定义MMI耦合器的材料； 22
&'@C> • 定义布局设定； R(k}y,eh.` • 创建一个MMI耦合器； }`xdWY • 插入输入面； ~6`iY @) • 运行模拟； -/ +#5.`1 • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 ]f8L:=c h}Rx_d 1. 定义MMI耦合器的材料 ?]#OM_, 8 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作： b 9~A-Z 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“ F";.6 %;AC f'X9HU{Cz 图1.初始性能对话框
h7]EB!D\A 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）” ,zhJY ?sk 5\bJR0I@ 图2.轮廓设计窗口
4 zjs!AK% 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口 #(KDjnP[
"Y;}G lE A#rh@8h+ 图3.电介质材料创建窗口
thc <xxRP 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料： * 27*>W1 − Name : Guide o.m:3!RW − Refractive Index (Re) : 3.3 a~PK
pw2% − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 *nC(-(r:J` j+ rG7z){K 图4.创建Guide材料
u5 B:^.:p 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料： /@"Y^ − Name : Cladding 5'KA'>@ − Refractive Index (Re) : 3.27 s@8w- ]" − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 iEm ? ;=4Xz\2 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 a0=WfeT
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道： MSw$_d − Name ： Guide_Channel -C-yQ.>\T# − 2D profile definition: Guide H,QTYXi " − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口 _%/}>L>-`8 t)f-mQz) 图6.构建通道
2. 定义布局设定 5] 5 KB;
为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作： W3H+.E
1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签 )G~w[~
− Width：2.8 ?QZ"JX])
注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 [ sF(#Y:I
− Profile：Channel-Guide i/H+xrCK
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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3djC;*, 9,
2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签： A\fb<
− Length：5300 9 QQyl\
− Width：60 gNYqAUG5
图8.设置晶圆尺寸
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3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签： tM4 Cx
− Material：Cladding *v
?m6R=)h
− 点击OK以激活布局窗口 F@ Sw e
图9.晶圆材料设置
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c(#;_Ve2P
4) 布局窗口 {vEOn-(7
图10.默认情况下布局窗口显示
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U8.7>ENnP&
5) 调整显示比率，以便更好进行波导结构布局设置： H@bf'guA|B
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 zc rY>t#l
− Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示 ": a\z(*t
− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示 3cdTed-MIh
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 L bEM^ D
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 L){iA-k;Ec
为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作： w| `h[/,
1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导 >/ [GTqi
2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导 M?m,EQh.
图13 .绘制第一个线性波动
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