主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器，主要步骤如下： XLog+F$` • 定义MMI耦合器的材料； Pjs
L{, • 定义布局设定； :`pgdn • 创建一个MMI耦合器； 8lI'[Y?3. • 插入输入面； Sk ~ ( t • 运行模拟； ([mC!d@a • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 WOv m%sX B
66-l!xa 1. 定义MMI耦合器的材料 9 kpCn.rJ 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作： ,?'":T1[ 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“ 4Jf6uhaE >~nc7 j
u 图1.初始性能对话框
I6q]bQ=" 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）” ,%bG]5 [m}58?0~x 图2.轮廓设计窗口
%, U@ D4w 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口 Tlz $LI
VGHy|5K$ ?3I93Bt7 图3.电介质材料创建窗口
3I" <\M4x 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料： X-Yy1"6m1 − Name : Guide b?=>)':f − Refractive Index (Re) : 3.3 g [#4`Q<. − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 Q>G lA
2tEA8F~k 图4.创建Guide材料
JdP[
cN 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料： AUan^Om − Name : Cladding H.n+CR − Refractive Index (Re) : 3.27 5bfd8C − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 zUe)f~4 N ?RJ uDW 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 T!iRg=<bz
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道： M)<4|x − Name ： Guide_Channel >z, SN − 2D profile definition: Guide A#WvN> − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口 k~ YZT 8 jn+M L& 图6.构建通道
2. 定义布局设定 _YT9 zG
为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作： [i
]
1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签 A3!xYG=+
− Width：2.8 Wg V 'T#*
注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 #VLO6
− Profile：Channel-Guide ITq $8
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
-kv'C6gB
&ND8^lR=Y;
2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签： 5@:c6(5$
− Length：5300 " iKX-VIl
− Width：60 x'uxSeH$
图8.设置晶圆尺寸
w`77E=
#Q6.r.3@x
3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签： #wvmVB. 5~
− Material：Cladding PGj?` y4
− 点击OK以激活布局窗口 *1>zE>nlP
图9.晶圆材料设置
C4`u3S
/.[;u1z"^
4) 布局窗口 6{ qI
图10.默认情况下布局窗口显示
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o|FY-+
5) 调整显示比率，以便更好进行波导结构布局设置： clc j5=:
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 !R`) S7!
− Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示 1\~-No
− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示 9T#JlV
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 \N?,6;%xB
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 3 E ~d
为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作： )Q!3p={S*
1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导 I |{A&G}|q
2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导 h
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图13 .绘制第一个线性波动
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