主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: :p: C • 定义MMI耦合器的材料; 1]~w?)..' • 定义布局设定; jmkOu5@ • 创建一个MMI耦合器; "t.`/4R2w • 插入输入面; =gQ9>An • 运行模拟; f!#! • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 @lE'D":? ;mk[! 1. 定义MMI耦合器的材料 c'eZ-\d{ 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: sNo8o1Hby 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ jO&*E'pk \/Mx|7< 图1.初始性能对话框
18Y#=uH} 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” ^r&)@R$V _i+@HXR & 图2.轮廓设计窗口
<8^x
Mjc 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 }Rw ,4
/v+)#[]> 8\lh'8 图3.电介质材料创建窗口
gk%@& TB/ 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: 1Q>nS[ − Name : Guide >UaQ7CRo − Refractive Index (Re) : 3.3 V3t#kv − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 DHWz, M (\{k-2t*^ 图4.创建Guide材料
be,Rj,- 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: @9B*V~ < − Name : Cladding ^E.L8 − Refractive Index (Re) : 3.27 erUYR" − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 \uJRjw+ kJ_8| 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 VX$WL"A
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: Zj_2>A − Name : Guide_Channel h<LFTYE@ − 2D profile definition: Guide +
t5SrO!` − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 ~Ba=nn8Cq AzOs/q8O 图6.构建通道
2. 定义布局设定 (jc& Fk
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: {p84fR1P
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 hWT
jN
− Width:2.8 W#p7M[
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 hF,|()E[
− Profile:Channel-Guide i3,IEN
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
\#_ymM0
P0n1I7|
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: 9 %T??-
− Length:5300 oBkhb
− Width:60 X/,)KTo7
图8.设置晶圆尺寸
yfZNL?2x
Cq\XLh `
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: x=oV!x
− Material:Cladding G.rz6o;
− 点击OK以激活布局窗口 ^viabkf C
图9.晶圆材料设置
Q\N*)&Sd<M
l_^SU8i57
4) 布局窗口 f"ndLX:'}
图10.默认情况下布局窗口显示
6c-/D.M
?*fY$93O
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: 0<uek
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 &
o5x
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 ;Bs~E
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 >rCD5#DG
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 fST.p|b7
图12.最终布局显示
V*giF`gq
0[MYQl`
3. 创建一个MMI耦合器 "b} mVrFh
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: [eX]x
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 (~GQncqa
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 .[Sis<A]%
图13 .绘制第一个线性波动
&lQ%;)'
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