主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: P]E-Wp'p • 定义MMI耦合器的材料; E8Dh;j • 定义布局设定; *GP2>oEM • 创建一个MMI耦合器; VFHd2Ea( • 插入输入面;
H}@:Bri • 运行模拟; 2G8pDvBr • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 eim +oms C@rGa7 1. 定义MMI耦合器的材料 Yo-}uTkw 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: Cs,H#L 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ )G? qX.D wb-yAQ8 图1.初始性能对话框
s}D>.9 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” |@qw k$EVr([ 图2.轮廓设计窗口
s0kp(t!fiu 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 lWbu`y
:Mf" 6Rd4waj_,U 图3.电介质材料创建窗口
G)3I+uxn 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: M[uWX= − Name : Guide EeIDlm0o − Refractive Index (Re) : 3.3 IRdt:B|@ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ON ?Y
Df ~5 ^Jv m 图4.创建Guide材料
l,ENMKA^D 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: XQ}Zr/f6 − Name : Cladding 2wf&jGHs − Refractive Index (Re) : 3.27 kc,"w\ ai − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 tAX*CMW *bkb-nKw 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 U=>S|>daR
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: ?RRO − Name : Guide_Channel <hT\xBb: − 2D profile definition: Guide xad`-vw − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 @=J|%NO '<Z[e`/ 图6.构建通道
2. 定义布局设定 >r.]a `
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: FLZ9pb[T
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 \& JZ
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− Width:2.8 AeJ ;g
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 _ k-_&PR
− Profile:Channel-Guide xNz(LZ.c
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
J[ds.~ $
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2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: LQ0/oYmNc
− Length:5300 #6sz@X fV
− Width:60 !Sq<_TO
图8.设置晶圆尺寸
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Fu7:4+
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: }r}*=;Ea
− Material:Cladding J3$>~?^1
− 点击OK以激活布局窗口 |rm elQ-
图9.晶圆材料设置
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M .#}
4) 布局窗口 8$00\><r
图10.默认情况下布局窗口显示
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5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: Ts iJK
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 ez4!5&TzRm
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 _ _O f0<
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 1/_g36\l$
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 z^Q'GBoBA
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 wjarQog5Y
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: Lx"GBEkt7
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 $:ush"=f8^
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 8-$t7bV5
图13 .绘制第一个线性波动
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