主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: oTT7M`P3h • 定义MMI耦合器的材料; ~@kU3ZGJZ • 定义布局设定; B*E2.\~ • 创建一个MMI耦合器; h`3eu;5) • 插入输入面; YZ+RWu9K • 运行模拟; mq%<6/YU • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 B4]`-mahO 2ZQ}7`Y 1. 定义MMI耦合器的材料 sCu+Lg~f 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: tlA"B{7 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ kHqzt g +b3^.wkq 图1.初始性能对话框
wM|"I^[ 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” /6_|]ijc t3+Py7qv 图2.轮廓设计窗口
Ve
4u +0 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 a/< Csad
9+keX{/c -@ZiS^l 图3.电介质材料创建窗口
~ Uo)0 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: rSYi<ku − Name : Guide OaL\w
D^ − Refractive Index (Re) : 3.3 \.g\Zib ) − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 qL94SW; b
pv=% 图4.创建Guide材料
x\Y $+A,P 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: Dnc<sd; − Name : Cladding KOwOIDt − Refractive Index (Re) : 3.27 V"!G2& − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 i9=&;_z 72veLB 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 #A8@CA^d
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: F9*g= − Name : Guide_Channel 3T&6opaF − 2D profile definition: Guide Xo*DvD − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 PpsIhMq@ qn,O40/] 图6.构建通道
2. 定义布局设定 LF0sH)e]
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: Zec <m8~
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 eW>3XD4
− Width:2.8 R-:fd!3oQ
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 "4%"&2L
− Profile:Channel-Guide :EHJ\+kejX
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
sZLT<6_B
4Yl;
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: cr;g5C
V
− Length:5300 b^[F""!e
− Width:60 oc^Br~ Th
图8.设置晶圆尺寸
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1 n%?l[o
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: wR{'y)$
− Material:Cladding 6 K-5g/hL
− 点击OK以激活布局窗口 +S))3 5N[
图9.晶圆材料设置
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9]_ HW[
f>ZyI{
4) 布局窗口 rcGb[=B f
图10.默认情况下布局窗口显示
Wpc|`e<
{3!E4"p
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: 4ikd M/
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 q{ /3V
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 hb{u'=
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 YSaJeU>@
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 #Mg]GeDJ{
图12.最终布局显示
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SwU\
q]^|Z
3. 创建一个MMI耦合器 7$rjlVe
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: -WQ^gcO=7
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 ]QuM<ms
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 I=;+n-
图13 .绘制第一个线性波动
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