主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: 9J*M~gKbz • 定义MMI耦合器的材料; %kHeU= • 定义布局设定; AHo4%
5 • 创建一个MMI耦合器; BF="gZoU< • 插入输入面; X6T*?t3!9[ • 运行模拟; ^&!SnM • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 !OCb^y U_&v|2o#3 1. 定义MMI耦合器的材料 )YtdU(^J$ 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: TtWE:xE 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ W$>AK_Y} )S8 fFV 图1.初始性能对话框
Rv/=bY 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” i$z).S?1 J7RO*.O&Iq 图2.轮廓设计窗口
apkmb< 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 Xi:y3 5q
Iq[
d5)M4 q-3e^-S* 图3.电介质材料创建窗口
2Hp<( 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: <hv {,1p-r − Name : Guide f]*TIYicc − Refractive Index (Re) : 3.3 C-TATH%f^ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 s?,\aSsU@ ng-rvr 图4.创建Guide材料
?r%kif) 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: /7o{%~O − Name : Cladding w(EUe4 w{ − Refractive Index (Re) : 3.27 1UwpLd − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 9EU0R
H %
k}+t3aF 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 mR1|8H!f
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: Yo^9Y@WDW − Name : Guide_Channel B']}n`g
− 2D profile definition: Guide l.Yq4qW − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 7A6: * 7K`Z<v&* 图6.构建通道
2. 定义布局设定 W02t6 DW
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: d+iV19 #i
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 }[O/u <Z
− Width:2.8 q Xj]O3
mm
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 KM&bu='L^
− Profile:Channel-Guide E8Y(C_:s
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
i[r>^U8O
'1NZSiv+C?
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: tg#d.(
− Length:5300 "(NJ{J#A
− Width:60 C?-_8OA
图8.设置晶圆尺寸
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AY)R2>
fW%
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: 71wtO
− Material:Cladding *m.4)2u=
− 点击OK以激活布局窗口 ^sb+|b
图9.晶圆材料设置
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hM#?
b8~7C4
4) 布局窗口 =+>^:3cCQ
图10.默认情况下布局窗口显示
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88~lP7J
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: <v+M ~"%V
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 c8}jO=/5+
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 [D= KI&@&O
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 m>8tA+K)+)
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 /}&@1
图12.最终布局显示
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k`;&??
3. 创建一个MMI耦合器 3lG=.yD
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: m[E#$JZtG
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 yr,Oq~e
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 _^Yav.A=
图13 .绘制第一个线性波动
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YdiXj |k+
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