主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: Th,2gX9 • 定义MMI耦合器的材料; R9=,T0Y
p • 定义布局设定; dm,b ZHo • 创建一个MMI耦合器; vZ|-VvG • 插入输入面; ;\#u19 • 运行模拟; 2d1'!B
zDA • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
gB~SCl54 dYr# 1. 定义MMI耦合器的材料 2'pxA: 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: 0/] @#G2 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ 9`09.`U9[ KE5f`h 图1.初始性能对话框
?TzN?\ 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” CQtd%'rt6 Hs-NP#I 图2.轮廓设计窗口
(Yw5X_|
3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 z,]fR
Ogjjjy84vM 5#2vSq!H 图3.电介质材料创建窗口
;#Mq=Fr-SG 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: 8n&" ,)U − Name : Guide +Z{4OJK − Refractive Index (Re) : 3.3 y>~KeUC − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ff:&MsA|, hc[GpZcw, 图4.创建Guide材料
CZ&TUE|:DA 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: Fg,[=CqB[ − Name : Cladding {s`1+6_&Vz − Refractive Index (Re) : 3.27 |]m&LC − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 {b#c0>.8-
/?_{DMt 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 j,G/[V
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: h_A}i2/{ − Name : Guide_Channel z%;\q$ − 2D profile definition: Guide t*D[Q$v − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 C ch1"j<k$ z5{I3 Y!1 图6.构建通道
2. 定义布局设定 3\'.1p
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: Dt+"E
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 f}+G;a9Nj
− Width:2.8 D#k>.)g
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 U9N}6a=
− Profile:Channel-Guide XHe=
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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]gmf%g'C
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: v-Br)lLv
− Length:5300 ^lQ-w|7(
− Width:60 FS@SC`~(
图8.设置晶圆尺寸
+ S%+Ku
H}}t)H
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: Cu|n?Uk
− Material:Cladding )FHaJ*&d
− 点击OK以激活布局窗口 IH:Hfv
图9.晶圆材料设置
H$[--_dI{
D(r|sw
4) 布局窗口 tHu8|JrH+
图10.默认情况下布局窗口显示
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| z('yy$
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: 4wBCs0NIm
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 p@Qzg
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− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 +"SBt}1
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 i3Ffk+ |b
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 Z,d/FC#y(
图12.最终布局显示
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RL&*.r&
3. 创建一个MMI耦合器 |MBnRR
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: S>*T&K
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 jn+0g:l
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 $h$+EE!
图13 .绘制第一个线性波动
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