切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 674阅读
    • 0回复

    [技术]OptiBPM:创建一个简单的多模干涉(MMI)耦合器 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    在线infotek
     
    发帖
    6573
    光币
    27014
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2023-08-31
    主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: 9J*M~gKbz  
    • 定义MMI耦合器的材料 %kHeU=  
    • 定义布局设定; AHo4% 5  
    • 创建一个MMI耦合器; BF="gZoU<  
    • 插入输入面; X6T*?t3!9[  
    • 运行模拟 ^&!S nM  
    • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 !OCb^y  
    U_&v|2o#3  
    1. 定义MMI耦合器的材料 )YtdU(^J$  
    为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: TtWE:xE  
    1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ W$>AK_Y}  
     )S8fFV  
    图1.初始性能对话框
    R v/=bY  
    2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” i$z).S?1  
    J7RO*.O&Iq  
    图2.轮廓设计窗口
    apkmb<  
    3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 Xi:y35q  
    Iq[ d5)M4  
    q-3e^-S*  
    图3.电介质材料创建窗口
    2Hp<(  
    4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: <hv {,1p-r  
    − Name : Guide f]*TIYicc  
    − Refractive Index (Re) : 3.3 C-TATH%f^  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 s?,\aSsU@  
    ng-rvr  
    图4.创建Guide材料
    ?r%kif)  
    5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: /7o{%~O  
    − Name : Cladding w(EUe4 w{  
    − Refractive Index (Re) : 3.27 1UwpLd  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口  9EU0R H  
    % k}+t3aF  
          
    图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 mR1|8H!f  
    6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: Yo^9Y@WDW  
    − Name : Guide_Channel B']}n`g  
    − 2D profile definition: Guide l.Yq4qW  
    − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 7A6:*  
    7K`Z<v&*  
    图6.构建通道
    2. 定义布局设定 W02t6DW  
    为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: d+iV19#i  
    1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 }[O/u <Z  
    − Width:2.8 q Xj]O3 mm  
    注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 KM&bu='L^  
    − Profile:Channel-Guide E8Y(C_:s  
    图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
    i[r>^U8O  
    '1NZSiv+C?  
    2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: tg#d.(  
    − Length:5300 "( NJ{J#A  
    − Width:60 C?-_8OA  
    图8.设置晶圆尺寸
    Q!`  
    AY)R2> fW%  
    3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: 71wtO  
    − Material:Cladding *m.4)2u=  
    − 点击OK以激活布局窗口 ^sb+|b  
    图9.晶圆材料设置
    rd hM#?  
    b 8~7C4  
    4) 布局窗口 =+>^:3cCQ  
    图10.默认情况下布局窗口显示
    ~z&Ho  
    88~ lP7J  
    5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: <v+M~"%V  
    − View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 c8}jO=/5+  
    − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 [D= KI&@&O  
    − 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 m>8tA+K)+)  
    图11.调整Z方向和X方向的显示比率 /}&@1  
    图12.最终布局显示
    ~9h/{$  
    k`;&??  
    3. 创建一个MMI耦合器 3lG=.yD  
    为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: m[E#$JZtG  
    1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 yr, Oq~e  
    2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 _^Yav.A=  
    图13 .绘制第一个线性波动
    r}~|,O3bc'  
    YdiXj |k+  
    S1G=hgF_L  
     
    分享到