主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下:
Vs1H)T% • 定义MMI耦合器的材料; .-Z=Aa> • 定义布局设定; <z.Y#{p?k • 创建一个MMI耦合器; _xWX/1DY • 插入输入面; MnLo{G] • 运行模拟; i'cGB5-j • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 ,=a+;D]' a!@(bb
z> 1. 定义MMI耦合器的材料 tDC?St1 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: $~3?nib"j 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ &0*7]Wo* (Sv=R(_s 图1.初始性能对话框
@vc9L 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” /wi*OZ7R y&n-8L_ 图2.轮廓设计窗口
*KV^X(/ 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 #x+7-hi
WJlJD*3 BT^Im=A 图3.电介质材料创建窗口
SuR+Vv 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: ' Ig:- − Name : Guide /Moyn"Kj{ − Refractive Index (Re) : 3.3 mI,a2wqi − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 FfRvi8 >qy$W4 图4.创建Guide材料
#Zg pm"MW 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: NwcRH9};i − Name : Cladding +;Pkpuu − Refractive Index (Re) : 3.27 [-0=ZKH? − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 P<CPA7K 1rIL[(r4 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 ^/ff)'.J
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: csFLBP − Name : Guide_Channel 6Z@?W − 2D profile definition: Guide tjLG$M1z` − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 ^\oMsU5( **CGkL 图6.构建通道
2. 定义布局设定 A I v
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: 84_Y+_9
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 W5uC5C*,l
− Width:2.8 hg7_ZjO
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 YJ!jdE}
− Profile:Channel-Guide en"\2+{Cg
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
kr\#CW0?
ok1w4#%,
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: ,`ba?O?*G
− Length:5300 3>v-,S+
− Width:60 }vb.>hy
图8.设置晶圆尺寸
Obx!>mI^6
mKLWz1GZ
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: v]'\]U^
− Material:Cladding \Ez&?yb/
− 点击OK以激活布局窗口 {t*CSI
图9.晶圆材料设置
sk5B} -
kpRk.Q*
4) 布局窗口 L@S1C=-/
图10.默认情况下布局窗口显示
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k*rG^imX
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置:
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− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 q26qY5D
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 vW0U~(XlN
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 :7*9W|e
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 5,BvT>zFY
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 F9>"1
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: ~wu\j][2
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 ey$H2zmo
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 tqpSir
图13 .绘制第一个线性波动
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