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主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: )Q c>NF0 • 定义MMI耦合器的材料; \ O+Hmi^ • 定义布局设定; yA^+<uz} • 创建一个MMI耦合器; ,{g B$8z^ • 插入输入面; ,dSP%?vV • 运行模拟; dwmZ_m. • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 ~4u[\&Sh @H|3e@5([ 1. 定义MMI耦合器的材料 9pq-"?vHY0 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: jmva0K},SE 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ v9l|MI15V (zhi/>suG 图1.初始性能对话框 kqp*o+Oz', 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” QOKE9R#Y =aJb}X 图2.轮廓设计窗口 <ly.l]g 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 wd0 *"c@ /\|Behif FOD_m&+ 图3.电介质材料创建窗口 F}{uY(hv"[ 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: s.KHm
L3 − Name : Guide J G3#(DVc; − Refractive Index (Re) : 3.3 6YpP/
K − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 8ZvozQE t+m
ug 图4.创建Guide材料 iBy
^ 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: @/0-`Y@? − Name : Cladding <hM`]/J55 − Refractive Index (Re) : 3.27 Jevr.& |