切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 737阅读
    • 0回复

    [技术]OptiBPM:创建一个简单的多模干涉(MMI)耦合器 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线infotek
     
    发帖
    6822
    光币
    28260
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2023-08-31
    主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: *5'U3py  
    • 定义MMI耦合器的材料 >h+[#3vD  
    • 定义布局设定; a[;TUc^I1F  
    • 创建一个MMI耦合器; z DDvXz  
    • 插入输入面; tJ>|t hk  
    • 运行模拟 ?-mDvW  
    • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 R0dIxG%  
    w8$rt  
    1. 定义MMI耦合器的材料 dHp(U :)  
    为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: &VG|*&M  
    1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ $I40 hk  
    %a- *Ku  
    图1.初始性能对话框
    n]$50_@  
    2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” gFR9!=,/V%  
    j{00iA}  
    图2.轮廓设计窗口
    /[Oo*}Dc=F  
    3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 $89hkUuTu^  
    i7g+8 zd8d  
    3n{'}SYyz  
    图3.电介质材料创建窗口
    y5;l?v94  
    4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: ~^#F5w"  
    − Name : Guide Q>qx? g  
    − Refractive Index (Re) : 3.3 U40adP? a  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 zrD];DP  
    r[>4b}4s  
    图4.创建Guide材料
    6q^Tq {I  
    5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: hs'J'~a  
    − Name : Cladding x8H%88!j*  
    − Refractive Index (Re) : 3.27 %n<u- {`  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 Q2[@yRY/z  
    t[Dg)adc  
          
    图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 $6\-8zNk  
    6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: +3B^e%`NPm  
    − Name : Guide_Channel d4@\5<  
    − 2D profile definition: Guide oNV5su  
    − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 L@> +iZSO  
    uYW9kw>$  
    图6.构建通道
    2. 定义布局设定 C1 qyjlR  
    为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: ? U~}uG^  
    1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 uMW5F-~-+  
    − Width:2.8 DoV<p?U  
    注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 7gIK+1`  
    − Profile:Channel-Guide 6n9;t\'Gt  
    图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
    K}^Jf ;  
    E]x)Qr2Ju  
    2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: {)^P_zha[9  
    − Length:5300 iO^z7Y7  
    − Width:60 a|B^%  
    图8.设置晶圆尺寸
    ('1k%`R%  
    /0|niiI  
    3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: AEx|<E0  
    − Material:Cladding PVBf'  
    − 点击OK以激活布局窗口 C4V#qhj  
    图9.晶圆材料设置
    hR;J#w  
    YLc 2:9  
    4) 布局窗口 #@h3#IC  
    图10.默认情况下布局窗口显示
    /rRQ*m_  
    )u{)"m`&[J  
    5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: QW ~-+BD  
    − View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 @D.]PZf  
    − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 BaSNr6 YW  
    − 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 F_Q,j]0  
    图11.调整Z方向和X方向的显示比率 F12tOSfu*  
    图12.最终布局显示
    r Ntc{{3_  
    ,l[h9J  
    3. 创建一个MMI耦合器 B Z:H$v  
    为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: IT \Pj_  
    1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 6`LC(Nv%-n  
    2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 /$OX'L&b  
    图13 .绘制第一个线性波动
    W!a~ #R/r-  
    #UN(R  
    ?Z}n0E `  
     
    分享到