主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: =8$|_ • 定义MMI耦合器的材料; Nj0-`j0E • 定义布局设定; -vyIOH, • 创建一个MMI耦合器; <MPeh&_3# • 插入输入面; ,bB( 24LD • 运行模拟; -rEeKt • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 C/mg46
v2W Pk$}%;@v 1. 定义MMI耦合器的材料 KotPV 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: ggerh# 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ <T(s\N5B= f:_=5e
+ 图1.初始性能对话框
l\K% 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” 6?53q e ^c/mj9M#C 图2.轮廓设计窗口
T$: >* 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 $a`J(I
!a' K & 5."5IjZu 图3.电介质材料创建窗口
?F!EB4E\y} 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: P#AAOSlLV − Name : Guide \BN|?r$a − Refractive Index (Re) : 3.3 ~Y\QGuT − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 4st~3,lR$ 9uuta4&uI 图4.创建Guide材料
/)sDnJ1r 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: fp9rO}## − Name : Cladding ^$e0t;W= − Refractive Index (Re) : 3.27 dVvZu% DFp − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 6kP7 4uFIpS|rq 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 #0}Ok98P
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: CT|z[^ − Name : Guide_Channel `2>XH:+7F − 2D profile definition: Guide uZ@-e|qto − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 >NJjS8f5 \s,Iz[0Vfz 图6.构建通道
2. 定义布局设定 LEWa6'0rq
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: 0Xp
nbB~~I
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 cN62M=**
− Width:2.8 - o4@#p> >
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 | @uq()
− Profile:Channel-Guide "]v
uD
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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E3y6c)<
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: NPS.6qY
− Length:5300 P=c?QYF
− Width:60 IDj_l+?c
图8.设置晶圆尺寸
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pvx.'L
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3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: h5x*NM1Ih
− Material:Cladding {nTG~d
− 点击OK以激活布局窗口 Sc$gnUYD{
图9.晶圆材料设置
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4) 布局窗口 g`kY]lu
图10.默认情况下布局窗口显示
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5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: 3u*82s\8T
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 aQga3;S!
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 4ffU;6~l'
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 -H`\?
R
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 `n6/ A)
图12.最终布局显示
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s\_l=v3
3. 创建一个MMI耦合器 !z?0 :Jg
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: uWh|C9Y!A
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 Vz'HM$
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 F,Q?s9s
图13 .绘制第一个线性波动
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