主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: 60n>FQ< • 定义MMI耦合器的材料; Y9-F\t=~ • 定义布局设定; W9}
,f • 创建一个MMI耦合器; p5"pQeS • 插入输入面; 'pUJREb • 运行模拟; /:!l&1l:p • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 2xUgM}e iW2\;}y 1. 定义MMI耦合器的材料 oP
T)vN? 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: T++q.oFc
1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ wQ/.3V[ yIr0D6L 图1.初始性能对话框
Af@\g-<W_ 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” *qYw TC2%n\GH* 图2.轮廓设计窗口
0s Jp,4Vv 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 p,f$9t4
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ukVBC"Ny 图3.电介质材料创建窗口
Xk'Pc0@a 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: `<P:ly. − Name : Guide _Wk*h}x − Refractive Index (Re) : 3.3 -ON-0L − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 86cnEj= QrFKjmD< 图4.创建Guide材料
G$KQgUN~[ 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: y$di_)&g − Name : Cladding 1he5Zevm} − Refractive Index (Re) : 3.27 RX_f[ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 r9!s@n =z"8#_3A 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 p{v*/<.;
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: o~CEja&( − Name : Guide_Channel bJ9*z~z)e − 2D profile definition: Guide ?7lW@U0 − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 `'5vkO> x![.C,O 图6.构建通道
2. 定义布局设定 !%t2ZQJq
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: 9@IL5 47V
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 %CnNu
− Width:2.8 z Fj |E
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 }CZw'fhVWO
− Profile:Channel-Guide A)j!Wgs^z
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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cX4]ViXSr
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: Z]tQmV8e
− Length:5300 ]9_}S
− Width:60 ?*xH
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图8.设置晶圆尺寸
_!vy|,w@e
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3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: h 6IXD N
− Material:Cladding L AA(2
− 点击OK以激活布局窗口 |&
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图9.晶圆材料设置
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&Ruq8n<
4) 布局窗口 7TI6EKr
图10.默认情况下布局窗口显示
XR[=W(m}
h<>yzr3fN
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: '+vmC*-I(
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 @- xvdntx
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 S-3hLw&?
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 D *PEIsV
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 h~CLJoK<
图12.最终布局显示
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Z
zp"CK 5
3. 创建一个MMI耦合器 Y6)o7t
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: i'>5vU0?3
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 4$ihnb`DQN
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 e3p:lu
图13 .绘制第一个线性波动
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