主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器，主要步骤如下： m z<wYV* • 定义MMI耦合器的材料； M?FbBJ`sF • 定义布局设定； J nzI-
y • 创建一个MMI耦合器； AY~~ a)V • 插入输入面； /`x)B(b • 运行模拟； <M,A:u\qSQ • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 j\^ u_D 8ba*:sb 1. 定义MMI耦合器的材料 WER\04%D\m 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作： ;=ci7IT' 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“ rjJ-ZRs\ EvJ"%:bp 图1.初始性能对话框
e|~s '{3 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）” /EX ub U73 \@eC^D2 图2.轮廓设计窗口
; ^cc-bLvF 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口 P: 3%#d~q
S$egsK" ~ j}dev pO 图3.电介质材料创建窗口
wsg u# as| 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料： A[mm_+D> − Name : Guide ?\J.Tv $$$ − Refractive Index (Re) : 3.3 }ippi6b:r − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 FhyA_U%/nF qt
!T %K 图4.创建Guide材料
U(t_uc5q 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料： i)[8 dv − Name : Cladding -1P*4H 2a − Refractive Index (Re) : 3.27 [L+VvO%cT − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 MG G c 61}hB>TT: 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 *?Pbk+}%
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道： | n_es)A − Name ： Guide_Channel "VfV;)]|w − 2D profile definition: Guide 4qc 0QA% − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口 3|FZ !8D (XDK&]U 图6.构建通道
2. 定义布局设定 |##rs
为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作： HcKZmL. wp
1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签 C6neZng
− Width：2.8 #!n"),3
注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 B&Igm<72x
− Profile：Channel-Guide = Ik G;gg
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
K#LG7faj
j Rv j:H9
2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签： [Tq\K ^!^
− Length：5300 ;%V%6 : 5
− Width：60 +l,6}tV9
图8.设置晶圆尺寸
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6 }>:sr
3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签： ]mW) T0_
− Material：Cladding ?R ;K`f9<
− 点击OK以激活布局窗口 wB0zFlP
图9.晶圆材料设置
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dLtn,qCX0^
4) 布局窗口 ]("5O V5
图10.默认情况下布局窗口显示
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5) 调整显示比率，以便更好进行波导结构布局设置： B9-Nb 4
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 WRWcB
− Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示 o@d+<6Um
− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示 _#nP->0)
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 tl:+wp7P`
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 MDo4{7
为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作： GG} (*pOr
1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导 _c W (R,i
2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导 jC) lWD
图13 .绘制第一个线性波动
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