主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: 8[SiIuIV • 定义MMI耦合器的材料; ST3aiyG • 定义布局设定; 66x>* • 创建一个MMI耦合器; 9x/HQ(1 • 插入输入面; `1F[.DdF • 运行模拟; r5XG$:$8\ • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 agqB#,i @Iz vObK 1. 定义MMI耦合器的材料 "8wRxDr+ 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: -b"7WBl 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ 0FfBD[E: klduJT
> 图1.初始性能对话框
|?n=~21"1O 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” jk2h"):B> .
KJEA# 图2.轮廓设计窗口
$\l7aA5~ 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 =e/{fUg8f
`#&pB0.y E%\j R 图3.电介质材料创建窗口
7pDov@K<{ 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: N.OC _H& − Name : Guide 1>OfJc(K − Refractive Index (Re) : 3.3 "$KU+? − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 cQ~}qE>I +!IIt {u 图4.创建Guide材料
U`_(Lq%5W 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: mw9;LNi\D − Name : Cladding `JyTS~v$ − Refractive Index (Re) : 3.27 Tx%6whd/' − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 E]` ) Bi9b"*LN 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 (3`Q`o;
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: i|PQNhUe − Name : Guide_Channel mAh0xgm − 2D profile definition: Guide _IJPZ'Hr − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 = R|?LOEK+ mRB-} 图6.构建通道
2. 定义布局设定 ,Ju f
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: [$)C(1zY
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 fyIL/7hzf4
− Width:2.8 D4[1CQ@}4D
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 elCDPZ Tf
− Profile:Channel-Guide `An`"$z
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
i,N U%be
/%Lj$]S7[4
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: Z.+-MN WV
− Length:5300 09<O b[%h
− Width:60 (KR$PLxDK
图8.设置晶圆尺寸
kD:O$8[J8
XYIZ^_My
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: zRPXmu{t
− Material:Cladding J
>Zd0Dn
− 点击OK以激活布局窗口 @K/}Ob4
图9.晶圆材料设置
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.|XIF
4) 布局窗口
=,&PD(.
图10.默认情况下布局窗口显示
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preKg$U
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: S(Md
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 !qPVC\l
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 7UvfXzDNC
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 [_6_A O(Z
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 mxsmW
图12.最终布局显示
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xlG/$`Ab
3. 创建一个MMI耦合器 l<qK'
P4
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: {#N](yUm
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 "1>I/CM
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 q
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图13 .绘制第一个线性波动
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IFNs)*
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