主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下:
Pps$=` • 定义MMI耦合器的材料; TzL|{9 • 定义布局设定; U>tR :) • 创建一个MMI耦合器; _a09;C • 插入输入面; %
/:1eE`!S • 运行模拟; ly[yn{ • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 ~J\qkQ
vF\>;pcT 1. 定义MMI耦合器的材料 Hf4_zd 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: CR4O#f8\ 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ 0%%1:W- w=KfkdAJ*/ 图1.初始性能对话框
u\LNJo| B 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” Jg#0g
eU T Q41i/{ 图2.轮廓设计窗口
h)Y] L#R 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 _E'?U
|[],z 8 ni;)6,i 图3.电介质材料创建窗口
@i ~ A7L0/ 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: bjVk9XvH6 − Name : Guide I\*6
> − Refractive Index (Re) : 3.3 aRTy=~ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 JrcbJt LR=Ji7 图4.创建Guide材料
l~J d>9DwY 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: etX@z'H − Name : Cladding 'TeH(?3G − Refractive Index (Re) : 3.27 XFWpHe_ L − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 V]|X
,G @i#JlZM_ 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 cWW?@_
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: HOx4FXPs − Name : Guide_Channel "_/ih1z] − 2D profile definition: Guide \'~
E%=Q − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 36.,:!%p Pd7\Q]of 图6.构建通道
2. 定义布局设定 Avw=*ZW
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: pU_3Z3CeE
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 !.P||$x`&
− Width:2.8 _?-oPb
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 N
sdpE?V
− Profile:Channel-Guide ULiRuN0 6
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
<,CrE5Pl
V'9.l6l
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: 40?RiwwD
− Length:5300 "pkdZ
− Width:60 nI6gd%C
图8.设置晶圆尺寸
{+9RJmZg
ROFZ*@CH<
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: .D@J\<,+l
− Material:Cladding 9FDu{4:
− 点击OK以激活布局窗口 =}Tm8b0
图9.晶圆材料设置
|aDBp
y,5qY}P+
4) 布局窗口
GK/Po51
图10.默认情况下布局窗口显示
HAjl[c
^m z9sV
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: %u!=<yn'
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 G _cJI
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 &_L%wV|[
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 0O"W0s"T#
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 {R_>KE1
图12.最终布局显示
oPi>]#X
-;9
}P
3. 创建一个MMI耦合器 b,Wm]N
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: ,;,B7g
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 Q]9$dr=Kk0
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 xFF!)k #
图13 .绘制第一个线性波动
)R7Sh51P
BAQ-1kSz
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