主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: oX|T&"& • 定义MMI耦合器的材料; ;Z]Wj9iY • 定义布局设定; }R%H?&P • 创建一个MMI耦合器; BS9VwG<Z • 插入输入面; (xHmucmwp • 运行模拟; g'7E6n"!, • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 Dh8ECy5k<* $*ff]># 1. 定义MMI耦合器的材料 l~i? 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: pey=zR! 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ AS7L B*Tn@t W 图1.初始性能对话框
;7'O=% 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” q&25,zWD '^UHY[mX8 图2.轮廓设计窗口
:W.H#@'( 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 l7|z]v-
^%r6+ey V&*IZt& 图3.电介质材料创建窗口
BU:;;iV8 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: 8!E.3'jb − Name : Guide rfqwxr45h − Refractive Index (Re) : 3.3 F7DA~G! − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 5#GMp AY /9Io- 图4.创建Guide材料
|0n )U( 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: '(.5!7?Qc − Name : Cladding dKzG,/1W[m − Refractive Index (Re) : 3.27 $
VT) − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ]l,D,d81 EtcT:k?y 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 1}d
F,e
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: Bgxk>Y − Name : Guide_Channel t%:7W[_s − 2D profile definition: Guide v\:AOY' − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 7m2iL#5[ c,a8#Og 图6.构建通道
2. 定义布局设定 ;/Hr ZhOE
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: 4fi4F1 f
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 9hzu!}~'I
− Width:2.8 %g9ym@s
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 w!m4>w
− Profile:Channel-Guide ~su>RolaX
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
Gdow[x
[+\He/M6
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: eKiDc=@
− Length:5300 ,;pUBrz/[
− Width:60 f)Qln[/
图8.设置晶圆尺寸
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W>jKWi,{
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: `y>m
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− Material:Cladding [j6]!p]S$
− 点击OK以激活布局窗口 YuhfPa
图9.晶圆材料设置
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mnA_$W3~I
4) 布局窗口 JG;}UuHYM
图10.默认情况下布局窗口显示
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5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: WOO3z5 La
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 n*[ZS[I
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 ;mpY cpI
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 U6-47m0%
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 Yi9Y`~J
图12.最终布局显示
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v~OMm\
3. 创建一个MMI耦合器 PJK:LZw
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: @fA{;@N
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 aVR!~hvFs
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 aj4ZS
图13 .绘制第一个线性波动
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