主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: ?/myG{E • 定义MMI耦合器的材料; 8DM! ]L • 定义布局设定; 2waPNb| • 创建一个MMI耦合器; )V&hS5P=S • 插入输入面; E]=>@EX • 运行模拟; sz%_9;`dpL • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 8IE^u<H(: P%N)]b<c* 1. 定义MMI耦合器的材料 $g/h=w@ 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: sV\K[4HG 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ uL^`uI#I n|KYcU# 图1.初始性能对话框
G\B+bBz 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” -:OJX #j 0N$FIw2 图2.轮廓设计窗口
HxcL3Bh$~} 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 &~2IFp
\Pcn D$L )4m`Ya,E3 图3.电介质材料创建窗口
PTqia! 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: 4u"Bll − Name : Guide f8`dJ5i − Refractive Index (Re) : 3.3 XUD Ztxa − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 {^1'' }r!hm?e 图4.创建Guide材料
\ Ce*5h 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: `uH7~ r^ − Name : Cladding 9C0#K\ − Refractive Index (Re) : 3.27 +.OdrvN4) − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 5;,h8vW P{yb%@I~J 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 D/GE-lq
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: y%spI/( − Name : Guide_Channel #qpP37G − 2D profile definition: Guide >[;=c0( − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 h9#)Eo ;BYuNQr 图6.构建通道
2. 定义布局设定 '+27_j
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: c&FOt
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 v^vi *c
− Width:2.8 Ip:54
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 V; CPn
− Profile:Channel-Guide `E?0jQ
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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&I[` .:NJ
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
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− Length:5300 N5h9){Mx
− Width:60 9dBxCdpu
图8.设置晶圆尺寸
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"H<us?r{
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: y&-QLX L
− Material:Cladding [/%N2mj
− 点击OK以激活布局窗口 PP>6
图9.晶圆材料设置
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%W)pZN}
4) 布局窗口 : -d_
图10.默认情况下布局窗口显示
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x+pf@?w
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: r$}C<a[U
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 c38XM]Jeq
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 qc5[e
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 IA({RE
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 pDSNI2
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 % hvK;B?Y|
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: 0FgF,
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 s&(;
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 6CIzT.
图13 .绘制第一个线性波动
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