主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: &2I8!Ia • 定义MMI耦合器的材料; 8]rObT9> • 定义布局设定; VCvf'$4(X • 创建一个MMI耦合器; 2IGU{&s • 插入输入面; A8Km8" • 运行模拟; : t/0 • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 %P:|B:\< *p9k> )'J 1. 定义MMI耦合器的材料 {CNJlr@z 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: @a,=ApS" 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ >7~,w1t W_,7hvE?"H 图1.初始性能对话框
"bQi+@ 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” X8A.ag0Uu $8SSu|O+x 图2.轮廓设计窗口
I&<'A[vHl 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 C
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2I
( GoPXh 6\`8b&'n 图3.电介质材料创建窗口
{L [ 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: D0z[h(m − Name : Guide s!>9od6^ − Refractive Index (Re) : 3.3 S(CVkCP − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 @]p{%" $ YHMJ5IM@. 图4.创建Guide材料
afzx?ekdF 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: T8x8TN" − Name : Cladding Wu(^k25 − Refractive Index (Re) : 3.27 %s^1 de − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 3i'01z WWo"De@ 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 7S=,#
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: `(=?k[48 − Name : Guide_Channel [x]~G − 2D profile definition: Guide fNfa.0s − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 dnQ6Ras ?/-WH?1I 图6.构建通道
2. 定义布局设定 MUGoW;}v)
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: oe0YxSauL
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 l-S0Gn/'X
− Width:2.8 #f/4%|t:
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 A|YgA66M
− Profile:Channel-Guide 'cQ,;y
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
w{So(AF
*ZFF$0}
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: ^:}C,lIrG
− Length:5300 z(
}w|
− Width:60 1i_%1Oip
图8.设置晶圆尺寸
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c_?^:xs:d
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: #g0N/
− Material:Cladding "*N#-=MJF
− 点击OK以激活布局窗口 V\opC6*L_e
图9.晶圆材料设置
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4) 布局窗口 @)vQ>R\k<
图10.默认情况下布局窗口显示
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uOy/c 8`
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: x(R;xB
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 \ym^~ Q|
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 ysl#Rwt/2
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 z@pa;_
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 !!)$?R;1
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 "5O>egt
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: O8_!!Qd
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 qSG0TWD!pq
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 O>a1S*mxP
图13 .绘制第一个线性波动
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