主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: {pM3f • 定义MMI耦合器的材料; egy#8U)Z • 定义布局设定; FaA7m • 创建一个MMI耦合器; 4Vrx9 sA1 • 插入输入面; \'Ewn8Qv8 • 运行模拟; &$hT27A>k • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 ;P2(C >| 31n|ScXv 1. 定义MMI耦合器的材料 ;+4X<)y*> 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: wVY;)1? 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ BRGTCR >? ({ 图1.初始性能对话框
X]AbBzy 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” Ehf3L |9 4Q
FX 图2.轮廓设计窗口
1PdxoRa4= 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 :z}
ZeP3
Yjr3 N~@VZbS(6 图3.电介质材料创建窗口
3+| {O 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: >m&r,z − Name : Guide 1q(o3% − Refractive Index (Re) : 3.3 b6~MRfx`7 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 0A>Fl* BdZO$ALXL 图4.创建Guide材料
<6)
w 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: 1O]27"9 − Name : Cladding
kN,WB − Refractive Index (Re) : 3.27 13:0%IO − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 yNu%D$6u7 \qh
-fW; # 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 !%_H1jk
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: fG\]&LFBU − Name : Guide_Channel smt6).o − 2D profile definition: Guide M`kR2NCi − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 MOEB{~v`; B[rxV 图6.构建通道
2. 定义布局设定 4$<-3IP,
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: CF k^(V"
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 l
TJqWSV=f
− Width:2.8 DG
$._
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 [F<Tl =
− Profile:Channel-Guide MJ:>ZRXCE
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
`X7ns?
)!``P?3?
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: (W l5F
− Length:5300 044*@a5f
− Width:60 "nK(+Z
图8.设置晶圆尺寸
n/3gx4.g
GL_a`.=@
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: \4.U.pKY
− Material:Cladding L('G1J}
− 点击OK以激活布局窗口 >r"~t70C~]
图9.晶圆材料设置
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]'UO]i/
4) 布局窗口 \KaWR
图10.默认情况下布局窗口显示
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2S\~
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: M7(vI4V
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 <E|K<}W#
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 5M{DJ/q
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 ReCmv/AE
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 RJ_ratKN*g
图12.最终布局显示
[k9aY$baT^
2>l:: 8Pp
3. 创建一个MMI耦合器 >_biiW~x :
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: k]Y#-Q1p~
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 cmIAWFj-)e
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 h
!~u9
图13 .绘制第一个线性波动
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