复旦大学研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件

发布:cyqdesign 2022-12-08 22:35 阅读:1602
当前MOSFET器件的持续微缩所带来的功耗问题已经成为制约集成电路发展的主要瓶颈。复旦大学微电子学院朱颢研究团队、美国国家标准与技术研究院及美国乔治梅森大学,合作提出一种具有陡峭亚阈值摆幅的负量子电容晶体器件。研究成果在第68届国际电子器件大会上发表。 37nGFH`K2m  
oiNt'HQ2/  
复旦大学微电子学院消息显示,该工作利用单层石墨烯在低态密度条件下产生的负电子压缩效应,通过栅极电压调控形成负量子电容。该工作中,通过对器件栅极叠层结构以及制备工艺的优化,实现最小31mV/dec的亚阈值摆幅和可忽略的滞回特性,及超过106的开关比,有效降低器件静态与动态功耗。同时结合理论仿真揭示了器件陡峭亚阈值摆幅的形成机理,为未来高速低功耗晶体管器件技术的发展提供新路径。 D./3,z  
+a}>cAj*  
该项研究工作得到国家自然科学基金等项目资助。
分享到:

最新评论

tomryo 2022-12-11 07:00
复旦大学研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件
redplum 2022-12-11 08:48
很理化
likaihit 2022-12-11 08:48
很不错啊
瑶台飞镜 2022-12-11 08:54
用单层石墨烯在低态密度条件下产生的负电子压缩效应,通过栅极电压调控形成负量子电容。
copland 2022-12-11 09:04
低功耗负量子电容场效应晶体管器件
六佰 2022-12-11 10:34
合作提出一种具有陡峭亚阈值摆幅的负量子电容晶体管器件
bairuizheng 2022-12-11 14:50
看看新闻
szlsft 2022-12-11 15:29
为未来高速低功耗晶体管器件技术的发展提供新路径,祝贺!
wangjin001x 2022-12-11 15:36
复旦大学研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件
谭健 2022-12-11 18:32
很不错啊
我要发表 我要评论
限 50000 字节
关于我们
网站介绍
免责声明
加入我们
赞助我们
服务项目
稿件投递
广告投放
人才招聘
团购天下
帮助中心
新手入门
发帖回帖
充值VIP
其它功能
站内工具
清除Cookies
无图版
手机浏览
网站统计
交流方式
联系邮箱:商务合作 站务处理
微信公众号:opticsky 微信号:cyqdesign
新浪微博:光行天下OPTICSKY
QQ号:9652202
主办方:成都光行天下科技有限公司
Copyright © 2005-2024 光行天下 蜀ICP备06003254号-1