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    [技术]CIGS太阳能电池中的吸收 [复制链接]

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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2022-12-01
    X5owAc6  
    tSy 9v  
    mG)5xD  
    .!q_jl%U  
    太阳能电池是可再生能源领域的一种基础技术。为了优化效率,大多数常见的设计使用薄膜结构和具有高吸收系数的介质——因为正是这种吸收的光能最终会转化为电流。基于铜铟硒化镓(CIGS)的太阳能电池,与基于其他材料的电池相比,它们可以变得更薄而不损失吸收效率,因此已经很普遍地使用了。 Dgz, Uad8f  
    ?HG[N7=j  
    建模任务 jCY~Wc  
    300nm~1100nm的平面波均匀光谱 >H+t ZV  
    QN*|_H@h  
    e5mu-  
    系统来源:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566 !'_7MM  
         si&du  
    探测器 I<}% L V  
    A%#M#hD/  
    功率(吸收功率将通过两个探测器的功率读数之差计算) 'VV U-)(8  
    [4?r0vO  
    太阳能电池 U\%r33L )  
    ;*?>w|t}w  
         ##mZ97>$  
        *我们假设太阳能电池是由一层带有防反射涂层的熔融石英保护的。 yjT>bu]  
    aiPm.h>  
    系统构建模块-分层的介质组件 5mam WPw  
    2]kGDeSr  
         $WIE`P%  
    对于涂有涂层的反射镜,我们使用分层介质组件,因为它为x和y方向不变的膜层堆栈提供了一个快速和严格的解决方案。
    GZO:lDdA  
    WIU]>_$.  
    系统构建模块-膜层矩阵求解器 pW+uVv,  
        分层介质组件采用膜层矩阵电磁场求解器。该求解器在空间频域(k域)中工作。它包括: ;_\y g)X,  
        每个均质层的特征值求解器。 h: yJ  
        一个用于所有界面上的匹配边界条件的s矩阵。 D%+yp  
    !aSj1 2J  
    特征值求解器计算每层均匀介质在k域内的电场解。s-矩阵算法通过递归匹配边界条件来计算整个膜层系统的响应。这是一种以其无条件数值稳定性而闻名的方法,因为与传统的传递矩阵不同,它避免了计算步骤中的指数增长函数。 /KvJjt'8  
    k86TlQRh  
        
    HGAi2+&  
    更多信息: DpggZ|J  
        层矩阵(S矩阵) E5i5gE"\  
    fTXip)n!r  
    系统构建模块-已采样的介质 UvGxA[~2+  
    WVD48}HF-  
         8XJi}YPQ  
    VirtualLabFusion提供一个不同材料的综合目录,可以用于膜层。也可以从测量数据中导入材料数据。
    A+^okT37r  
    XaCvBQ  
    系统构建模块-探测   U!uPf:p2  
        
    Xz@#,F:@  
         c:7V..   
    总结——组件 %GTFub0 F  
    PVg<Ovi^d  
        
    LEM%B??&5z  
        
    'IY?=#xr'`  
    对不同厚度的CIGS层的吸收情况 a X1b(h2  
    MWme3u)D  
           $y6 <2w%b  
    参考文献:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured hDi~{rbmc  
        Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566. /a*){JQ5j  
        
        CIGS层厚度变化量:100/150/200nm
     
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