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    [技术]CIGS太阳能电池中的吸收 [复制链接]

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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2022-12-01
    "TboIABp:H  
     UX& ?^]  
    eURj'8o),  
    "<y0D!&  
    太阳能电池是可再生能源领域的一种基础技术。为了优化效率,大多数常见的设计使用薄膜结构和具有高吸收系数的介质——因为正是这种吸收的光能最终会转化为电流。基于铜铟硒化镓(CIGS)的太阳能电池,与基于其他材料的电池相比,它们可以变得更薄而不损失吸收效率,因此已经很普遍地使用了。 OLS.0UEc  
    9e*v&A2Y'  
    建模任务 G uLU7a  
    300nm~1100nm的平面波均匀光谱 FV->226o%  
    i`}nv,  
    N-O"y3W}  
    系统来源:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566 ?UGA-^E1  
         B5iVT<:a  
    探测器 {!`0i  
    |6d0,muN  
    功率(吸收功率将通过两个探测器的功率读数之差计算) `x0GT\O2-  
    <$]=Vaq  
    太阳能电池 e MT5bn  
    Nhnw'9  
         wgb e7-{  
        *我们假设太阳能电池是由一层带有防反射涂层的熔融石英保护的。 g_l=z`,8  
    'nO%1BZj+  
    系统构建模块-分层的介质组件 X  !vBD  
    D|`I"N[<  
         "`jey)&H*M  
    对于涂有涂层的反射镜,我们使用分层介质组件,因为它为x和y方向不变的膜层堆栈提供了一个快速和严格的解决方案。
    S?k G|y  
    r#xq 8H=_m  
    系统构建模块-膜层矩阵求解器 =I}8-AS~V  
        分层介质组件采用膜层矩阵电磁场求解器。该求解器在空间频域(k域)中工作。它包括: Pq@%MF]5  
        每个均质层的特征值求解器。 ksB-fOv*N  
        一个用于所有界面上的匹配边界条件的s矩阵。 ^-yEb\\i  
    vCB0 x:/  
    特征值求解器计算每层均匀介质在k域内的电场解。s-矩阵算法通过递归匹配边界条件来计算整个膜层系统的响应。这是一种以其无条件数值稳定性而闻名的方法,因为与传统的传递矩阵不同,它避免了计算步骤中的指数增长函数。 >*A"tk#oR  
    XsVp7zk\  
        
    };z[x2l^  
    更多信息: mjwh40x.o  
        层矩阵(S矩阵) 6/Pw'4H9$  
    iksd^\]f  
    系统构建模块-已采样的介质 lLb"><8a  
    G{ 9p.Q  
         tTzPT<  
    VirtualLabFusion提供一个不同材料的综合目录,可以用于膜层。也可以从测量数据中导入材料数据。
    sKvz<7pag  
    k_^| %xJ  
    系统构建模块-探测   srbU}u3VZ  
        
    bCv^za]P6  
         GRt1]%l#$  
    总结——组件 tS2Orzc>,  
    |@a.dgz,  
        
    EO<{Bj=2  
        
    B`Q~p 92  
    对不同厚度的CIGS层的吸收情况 ># {,(8\  
    <u 'q._m  
           {g%F 3-  
    参考文献:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured 1${lHVx]  
        Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566. ^"g # !  
        
        CIGS层厚度变化量:100/150/200nm
     
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